描述:IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:312A *功率 - 最大值:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 500A 1500W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 270A 680W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:270A *功率 - 最大值:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:75µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 500A 1500W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 250A 750W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:250A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 150A 365W SP6P igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:365W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 840A 3000W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:840A *功率 - 最大值:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 840A 3000W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:840A *功率 - 最大值:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 600A 1000W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 1200A 2000W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1200A *功率 - 最大值:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:36.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 123A 454W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:454W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:281A *功率 - 最大值:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9350pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD OUTPUT & SW EMIPAK 2B igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A *功率 - 最大值:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:15A *功率 - 最大值:142.8W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:985pF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4150pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP igbt 类型:- *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:35A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm） 供应商器件封装:26-DIP 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG igbt 类型:- *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 20V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm） 供应商器件封装:26-DIP 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG igbt 类型:- *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:35A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.33nF @ 20V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm） 供应商器件封装:26-DIP 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A *功率 - 最大值:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:35A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2154pF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A *功率 - 最大值:197W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1550pF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG igbt 类型:- *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:35A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.333nF @ 20V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm） 供应商器件封装:26-DIP 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1