描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 100A 250W SP3F igbt 类型:- *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F igbt 类型:- *配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F igbt 类型:- *配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 50A 125W SP3F igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 85A 290W E3 igbt 类型:- *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:85A *功率 - 最大值:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 135A 350W SP3F igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:135A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE - OTHERS E2-PACK-PFP igbt 类型:沟道 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1.39kW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.2mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 650V 100A 250W SP3F igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:483W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 170A 520W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:170A *功率 - 最大值:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:PM-IGBT-TFS-SP3F igbt 类型:沟道 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:40A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:40A 不同?vce 时的输入电容（cies）:40A *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1F igbt 类型:沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:80A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:80A 不同?vce 时的输入电容（cies）:80A *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:186A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 150A 500W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 400A 1250W SP3F igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 250A 750W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:250A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 130A 385W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:935W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:312A *功率 - 最大值:938W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:150µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE - SIXPACK E3-PACK-PF igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:370A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.6nF @ *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0