描述:IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:165A *功率 - 最大值:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 86A 284W SOT227 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:86A *功率 - 最大值:284W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.61nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 130A 431W SOT227 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:431W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，65A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 80A 312W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 151A 462W SOT227 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:151A *功率 - 最大值:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.84nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 195A 500W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:195A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 105A 379W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:379W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:330µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT 140A 1200V SOT227B MINIBLOC igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:380A *功率 - 最大值:1070W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，140A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1 igbt 类型:- *配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1 igbt 类型:- *配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 170A 520W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:170A *功率 - 最大值:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE - BRAKE E2-PACK-PFP igbt 类型:PT *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:335A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 650V 40A 95W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:95W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 50A 165W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:165W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.43nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 70A 175W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 70A 175W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 150A 250W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 70A 175W SP3F igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:175W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1