描述:IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:3300V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:450A *功率 - 最大值:1000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.75V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-XHP100-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿（最大值）:3300V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:450A *功率 - 最大值:1000000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.75V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:84nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-XHP100-6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 1500A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1500A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，1500A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:82nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME3+-5 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1500A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，1.5kA 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-PRIME3+-5 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1700V 1500A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1500A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，1500A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:88nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE PP IHM I XHP 1 7KV igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双制动斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:900A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.05V @ 15V，900A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-PRIME3-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 1800A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1800A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，1800A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:98.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1500A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，1.5kA 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-PRIME3+-5 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 1800A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1800A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，1800A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:98.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 3600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3600A *功率 - 最大值:1800000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，1800A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:105nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 3300V 1000A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）:3300V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1000A *功率 - 最大值:1000A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:190nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 3300V 1500A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:3300V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1500A *功率 - 最大值:17000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，1500A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）:3300V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2000A *功率 - 最大值:4.2mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，2kA（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:280nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-IHVB190-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 75A 320W S3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 125A 520W S3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:125A *功率 - 最大值:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 150A 620W S3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:620W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 150A 690W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:250A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 300A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 325A 1400W WB igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:325A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，225A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:WB 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1450W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 375A 1650W WB igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:375A *功率 - 最大值:1650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:WB 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 600A 2250W WB igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:40.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:WB 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:165A *功率 - 最大值:430W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，1000A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1