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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FS150R12KT4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 750W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:750W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
F3L300R07PE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 300A 940W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
IFF450B12ME4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 450A 40W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:40W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R12KT3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 200A 700W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12KE4EBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 600A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:600A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):38nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12KE4PBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-62MM-1 |
描述:IGBT MODULE 1200V
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:600A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):38nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-62MM-1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R12KT4B9BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 750W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:750W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS200R12KT4RBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 280A 1000W
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):280A
*功率 - 最大值:1000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF450R12ME4EB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:MOD IGBT MED PWR ECONOD-4
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS200R12PT4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 280A 1000W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):280A
*功率 - 最大值:1000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12ME4B72BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 1200A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12ME4B73BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 1200A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
F4150R12KS4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 180A 960W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):180A
*功率 - 最大值:960W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):10nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF500R17KE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 500A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥逆变器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500A
*功率 - 最大值:500A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,500A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP150R12KT4BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 150A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:150A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
IFF600B12ME4PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 40W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:40W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12ME4AB11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R17ME4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE VCES 1700V 600A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:1700V
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):48nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R17ME4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE VCES 1700V 600A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V
*功率 - 最大值:1700V
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):48nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS225R12OE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 350A 1250W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):350A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
GSID300A125S5C1
Datasheet 规格书
ROHS
|
SemiQ | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1250V 600A 2500W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1250V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:2500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):30.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS300R12OE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1650W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):460A
*功率 - 最大值:1650W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12IE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12IP4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS225R17OE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 350A 1450W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):350A
*功率 - 最大值:1450W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):600pF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|