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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FS150R12KT4B11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 750W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
F3L300R07PE4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 300A 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
IFF450B12ME4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 40W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:40W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R12KT3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 700W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12KE4EBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:600A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):38nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12KE4PBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-62MM-1
描述:IGBT MODULE 1200V igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:600A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):38nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-62MM-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R12KT4B9BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 750W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS200R12KT4RBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 280A 1000W igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):280A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF450R12ME4EB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:MOD IGBT MED PWR ECONOD-4 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS200R12PT4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 280A 1000W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):280A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12ME4B72BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1200A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12ME4B73BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1200A 20MW igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F4150R12KS4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 180A 960W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):180A *功率 - 最大值:960W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF500R17KE4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 500A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥逆变器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):500A *功率 - 最大值:500A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,500A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP150R12KT4BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 150A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:150A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.35nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFF600B12ME4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 40W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:40W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12ME4AB11BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R17ME4B11BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE VCES 1700V 600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):48nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R17ME4BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE VCES 1700V 600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):48nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS225R12OE4BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 350A 1250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):350A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
GSID300A125S5C1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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SemiQ 模块 模块
描述:IGBT MOD 1250V 600A 2500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1250V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):30.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS300R12OE4BOSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1650W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):460A *功率 - 最大值:1650W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12IE4BOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12IP4BOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.05V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS225R17OE4BOSA1
10+: 3.7968 100+: 3.7290 1000+: 3.6951 3000+: 3.5934
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 350A 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):350A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):600pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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