描述:IGBT MOD 1200V 100A 515W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 105A 355W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 300A AG62MM-1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:300A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-62MM-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 600V 200A 600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 580A 2000W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:580A *功率 - 最大值:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 580A 2000W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:580A *功率 - 最大值:2000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 580A 2400W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:450A *功率 - 最大值:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 520A 2400W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:520A *功率 - 最大值:2400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1700V 440A 1800W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:440A *功率 - 最大值:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 1130A 3060W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1130A *功率 - 最大值:3060W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 30A igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:GBT MODULE 650V 600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-4 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 200A 600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 700A 1800W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:1800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1700V 100A 600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 200A 600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.95V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE LOW POWER EASY igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:950V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:31µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.48nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-EASY3B 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 100A 515W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1700V *功率 - 最大值:1450W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:27nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 675A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:675A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 675A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:675A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 200A 680W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:680W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 50A igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 30A igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1700V *功率 - 最大值:1700V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0