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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FF200R12KS4PHOSA1
10+: 1180.2226 100+: 1159.1472 1000+: 1148.6095 3000+: 1116.9964
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 275A 1400W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):275A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF200R17KE4HOSA1
10+: 1189.8538 100+: 1168.6065 1000+: 1157.9828 3000+: 1126.1117
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 310A 1250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):310A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R12KT4HOSA1
10+: 1190.0437 100+: 1168.7929 1000+: 1158.1675 3000+: 1126.2913
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 450A 1600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:1600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ600R12KE4HOSA1
10+: 1190.0437 100+: 1168.7929 1000+: 1158.1675 3000+: 1126.2913
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 600A 3000W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:3000W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ400R17KE4HOSA1
10+: 1190.9169 100+: 1169.6506 1000+: 1159.0174 3000+: 1127.1178
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Infineon Technologies - -
描述:MODULE IGBT 1700V AG-62MM-2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF400R07KE4HOSA1
10+: 1192.2838 100+: 1170.9930 1000+: 1160.3476 3000+: 1128.4114
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 1250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650V *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP100R06KE3BOSA1
10+: 1213.6598 100+: 1191.9873 1000+: 1181.1510 3000+: 1148.6423
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 100A 335W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:335W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
NXH160T120L2Q2F2SG
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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ON Semiconductor - -
描述:PIM 1200V, 160A SPLIT TNP igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R12N2T4BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONO2-6
描述:IGBT MOD 1200V 100A 20MW ECONO igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONO2-6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF300R12KE3HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 440A 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):440A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ400R17KE3HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 620A 2250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):620A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF300R12KT3HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 480A 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):480A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF450R07ME4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONOD-3
描述:GBT MODULE 650V 450A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):27.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF450R07ME4B11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 560A 1450W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):560A *功率 - 最大值:1450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):27.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP75R12KT4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:385W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP75R12KT4B15BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:385W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS75R17KE3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 130A 465W igbt 类型:- *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:465W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F423MR12W1M1B11BOMA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-EASY1BM-2
描述:LOW POWER EASY igbt 类型:沟道 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:.2W 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):3.68nF @ 800V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-EASY1BM-2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
F423MR12W1M1PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-EASY1B-2
描述:MOSFET MODULE 1200V 4PACK igbt 类型:沟道 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):3.68nF 不同?vce 时的输入电容(cies):3.68nF *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-EASY1B-2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF300R12KS4HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 370A 1950W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):370A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ600R12KS4HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 700A 3900W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):700A *功率 - 最大值:3900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.75V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):39nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
F3L400R10W3S7B11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE LOW POWER EASY igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF225R17ME4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 340A 1500W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FD450R12KE4PHOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-62MM-1
描述:IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:450A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-62MM-1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
IFF300B12ME4PB11BPSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONOD-6
描述:IGBT MOD 1200V 300A 20MW ECONO igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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