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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FF200R12KT4HOSA1
10+: 979.8149 100+: 962.3182 1000+: 953.5698 3000+: 927.3248
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 320A 1100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):320A *功率 - 最大值:1100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R12KT4B11BOSA1
10+: 988.3703 100+: 970.7209 1000+: 961.8961 3000+: 935.4219
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF150R12KS4HOSA1
10+: 1006.7342 100+: 988.7568 1000+: 979.7681 3000+: 952.8020
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 225A 1250W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS75R12KE3BOSA1
10+: 1029.5783 100+: 1011.1929 1000+: 1002.0003 3000+: 974.4223
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 105A 350W igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF300R06KE3HOSA1
10+: 1041.6268 100+: 1023.0263 1000+: 1013.7261 3000+: 985.8253
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 400A 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R07KE4HOSA1
10+: 1055.7256 100+: 1036.8733 1000+: 1027.4472 3000+: 999.1688
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 650V 940W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650V *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP40R12KT3GBOSA1
10+: 1056.8899 100+: 1038.0169 1000+: 1028.5804 3000+: 1000.2708
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):55A *功率 - 最大值:210W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,401A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS75R12KT3BOSA1
10+: 1056.8899 100+: 1038.0169 1000+: 1028.5804 3000+: 1000.2708
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 105A 355W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP40R12KE3GBOSA1
10+: 1056.8899 100+: 1038.0169 1000+: 1028.5804 3000+: 1000.2708
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):55A *功率 - 最大值:210W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP75R06KE3BOSA1
10+: 1060.6740 100+: 1041.7334 1000+: 1032.2631 3000+: 1003.8522
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 600V 95A 250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):95A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ400R12KE3HOSA1
10+: 1062.6231 100+: 1043.6477 1000+: 1034.1600 3000+: 1005.6968
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 650A 2250W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF200R12KE3HOSA1
10+: 1062.6231 100+: 1043.6477 1000+: 1034.1600 3000+: 1005.6968
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 1050W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R07ME4B11BOSA1
10+: 1079.3416 100+: 1060.0677 1000+: 1050.4307 3000+: 1021.5198
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 390A 1100W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):390A *功率 - 最大值:1100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP50R12KT4GBOSA1
10+: 1087.6060 100+: 1068.1845 1000+: 1058.4737 3000+: 1029.3414
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF150R17KE4HOSA1
10+: 1087.8971 100+: 1068.4704 1000+: 1058.7570 3000+: 1029.6169
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Infineon Technologies - -
描述:MODULE IGBT 1700V AG-62MM-1 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP50R12KT3BOSA1
10+: 1093.0481 100+: 1073.5294 1000+: 1063.7700 3000+: 1034.4919
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 280W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FP50R12KE3BOSA1
10+: 1093.0481 100+: 1073.5294 1000+: 1063.7700 3000+: 1034.4919
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 280W igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF225R12ME4BOSA1
10+: 1096.8322 100+: 1077.2460 1000+: 1067.4528 3000+: 1038.0734
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 320A 1050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):320A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FD300R12KE3HOSA1
10+: 1125.9917 100+: 1105.8847 1000+: 1095.8312 3000+: 1065.6707
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 480A 1470W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):480A *功率 - 最大值:1470W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R07ME4BOSA1
10+: 1126.8649 100+: 1106.7423 1000+: 1096.6810 3000+: 1066.4972
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Infineon Technologies 模块 AG-ECONOD-3
描述:GBT MODULE 650V 300A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:20mW 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-ECONOD-3 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R12KE3GBOSA1
10+: 1127.0674 100+: 1106.9412 1000+: 1096.8781 3000+: 1066.6888
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 355W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF200R12KS4HOSA1
10+: 1128.9152 100+: 1108.7560 1000+: 1098.6764 3000+: 1068.4376
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 275A 1400W igbt 类型:- *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):275A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FZ400R12KS4HOSA1
10+: 1128.9152 100+: 1108.7560 1000+: 1098.6764 3000+: 1068.4376
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 510A 2500W igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):510A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS75R12KT3GBOSA1
10+: 1144.0771 100+: 1123.6471 1000+: 1113.4322 3000+: 1082.7872
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 355W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF400R06KE3HOSA1
10+: 1173.6162 100+: 1152.6588 1000+: 1142.1800 3000+: 1110.7439
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 500A 1250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):500A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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