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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FP25R12KT4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 25A 160W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):25A
*功率 - 最大值:160W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS35R12KT3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W
igbt 类型:-
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):55A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-EASY2B-1 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.50V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):9µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-EASY2B-1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP25R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 40A 155W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:155W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A 500W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.75V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):8.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | AG-EASY2B-2 |
描述:IGBT MODULE LOW POWER EASY
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.81V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值):18µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:AG-EASY2B-2
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
DDB6U84N16RRBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 50A 350W
igbt 类型:NPT
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 20V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 50A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
NXH80B120H2Q0SG
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | - | - |
描述:PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS50R12KT3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A 280W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS50R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A 270W
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:270W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS3L50R07W2H3FB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 50A 20MW
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:20mW
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP35R12KT4B15BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 210W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP35R12KT4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 210W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP35R12KT4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 210W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP40R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):55A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF100R12KS4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 780W
igbt 类型:-
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):650nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 600W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.75V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):11.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF200R06KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 600V 260A 680W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):260A
*功率 - 最大值:680W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5mA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF150R12KT3GHOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 225A 780W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):225A
*功率 - 最大值:780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
F1225R12KT4GBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 25A 160W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):25A
*功率 - 最大值:160W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FD200R12KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 1050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:1050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FP50R12KT4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 50A 280W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.25V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FZ400R12KE4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 400A 2400W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:2400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF200R12KE4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 240A 1100W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):240A
*功率 - 最大值:1100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|