服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
FZ900R12KE4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 4300W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:4300W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):56nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF450R12KE4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 520A 2400W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):520A
*功率 - 最大值:2400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ600R17KE4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 1200A 3350W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:3350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ600R17KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 840A 3150W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):840A
*功率 - 最大值:3150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R12KT4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 150A 750W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:750W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1mA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12KE4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 600A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:600A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):38nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 200A 700W
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF400R17KE4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1700V 400A
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:400A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF600R12ME4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 4050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:4050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF600R12ME4CBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 1060A 4050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1060A
*功率 - 最大值:4050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IGBT MODULE LOW POWER EASY
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
APT40GF120JRD
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microchip Technology | SOT-227-4,miniBLOC | SOT-227(ISOTOP®) |
描述:IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:390W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®)
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
APT50GF120JRD
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microchip Technology | SOT-227-4,miniBLOC | SOT-227(ISOTOP®) |
描述:IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:460W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®)
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
APT60GF120JRD
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microchip Technology | SOT-227-4,miniBLOC | SOT-227(ISOTOP®) |
描述:IGBT NPT COMBI 1200V 60A ISOTOP
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):115A
*功率 - 最大值:521W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,60A
电流 - 集电极截止(最大值):500mA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.08nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®)
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
VS-GT80DA120U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,miniBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):139A
*功率 - 最大值:658W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
A1C15S12M3-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | 模块 | ACEPACK™ 1 |
描述:IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):15A
*功率 - 最大值:142.8W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):985pF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ACEPACK™ 1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
A1P25S12M3-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | 模块 | ACEPACK™ 1 |
描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):25A
*功率 - 最大值:197W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1550pF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ACEPACK™ 1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
A1P35S12M3
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | 模块 | ACEPACK™ 1 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2154pF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ACEPACK™ 1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
A1P35S12M3-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | 模块 | ACEPACK™ 1 |
描述:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2154pF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ACEPACK™ 1
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
NXH100B120H3Q0PTG
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 模块 | 22-PIM(55x32.5) |
描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:186W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.075nF @ 20V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:22-PIM(55x32.5)
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
NXH100B120H3Q0STG
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 模块 | 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5) |
描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:186W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.075nF @ 20V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
A2P75S12M3
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | 模块 | ACEPACK™ 2 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:454.5W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4700pF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ACEPACK™ 2
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
A2P75S12M3-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | 模块 | ACEPACK™ 2 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:454.5W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4700pF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ACEPACK™ 2
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS30R06W1E3BOMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 600V 60A 150W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP10R06W1E3BOMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 600V 16A 68W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):16A
*功率 - 最大值:68W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,10A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):550pF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|