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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
FZ900R12KE4HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 4300W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:4300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,900A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF450R12KE4HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 520A 2400W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):520A *功率 - 最大值:2400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ600R17KE4HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 1200A 3350W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:3350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ600R17KE3HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 840A 3150W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):840A *功率 - 最大值:3150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):54nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R12KT4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 750W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12KE4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 600A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:600A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):38nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R12KE3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 700W igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF400R17KE4HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1700V 400A igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:400A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF600R12ME4BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 4050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:4050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF600R12ME4CBOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 1060A 4050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1060A *功率 - 最大值:4050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF6MR12W2M1PB11BPSA1
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Infineon Technologies - -
描述:IGBT MODULE LOW POWER EASY igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
APT40GF120JRD
10+: 286.0383 100+: 280.9304 1000+: 278.3765 3000+: 270.7148
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Microchip Technology SOT-227-4,miniBLOC SOT-227(ISOTOP®)
描述:IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):60A *功率 - 最大值:390W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®) 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
APT50GF120JRD
10+: 329.0054 100+: 323.1303 1000+: 320.1927 3000+: 311.3801
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Microchip Technology SOT-227-4,miniBLOC SOT-227(ISOTOP®)
描述:IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:460W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®) 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
APT60GF120JRD
10+: 503.1772 100+: 494.1919 1000+: 489.6993 3000+: 476.2213
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Microchip Technology SOT-227-4,miniBLOC SOT-227(ISOTOP®)
描述:IGBT NPT COMBI 1200V 60A ISOTOP igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):115A *功率 - 最大值:521W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,60A 电流 - 集电极截止(最大值):500mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227(ISOTOP®) 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
VS-GT80DA120U
10+: 357.5826 100+: 351.1972 1000+: 348.0045 3000+: 338.4264
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Vishay SOT-227-4,miniBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):139A *功率 - 最大值:658W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
A1C15S12M3-F
10+: 365.3534 100+: 358.8292 1000+: 355.5672 3000+: 345.7809
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STMicroelectronics 模块 ACEPACK™ 1
描述:IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):15A *功率 - 最大值:142.8W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):985pF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
A1P25S12M3-F
10+: 365.8343 100+: 359.3016 1000+: 356.0352 3000+: 346.2361
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STMicroelectronics 模块 ACEPACK™ 1
描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:197W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1550pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
A1P35S12M3
10+: 380.9962 100+: 374.1927 1000+: 370.7910 3000+: 360.5857
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STMicroelectronics 模块 ACEPACK™ 1
描述:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):35A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2154pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
A1P35S12M3-F
10+: 391.5007 100+: 384.5096 1000+: 381.0141 3000+: 370.5275
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STMicroelectronics 模块 ACEPACK™ 1
描述:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):35A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2154pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 1 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
NXH100B120H3Q0PTG
10+: 504.5314 100+: 495.5220 1000+: 491.0172 3000+: 477.5030
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ON Semiconductor 模块 22-PIM(55x32.5)
描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:186W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.075nF @ 20V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:22-PIM(55x32.5) 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
NXH100B120H3Q0STG
10+: 504.5314 100+: 495.5220 1000+: 491.0172 3000+: 477.5030
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ON Semiconductor 模块 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:186W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.075nF @ 20V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:22-PIM/Q0BOOST(55x32.5) 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
A2P75S12M3
10+: 588.6052 100+: 578.0944 1000+: 572.8390 3000+: 557.0728
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STMicroelectronics 模块 ACEPACK™ 2
描述:IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:454.5W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4700pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
A2P75S12M3-F
10+: 596.5785 100+: 585.9253 1000+: 580.5987 3000+: 564.6190
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STMicroelectronics 模块 ACEPACK™ 2
描述:IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:454.5W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4700pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ACEPACK™ 2 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS30R06W1E3BOMA1
10+: 268.8388 100+: 264.0381 1000+: 261.6377 3000+: 254.4367
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 600V 60A 150W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):60A *功率 - 最大值:150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP10R06W1E3BOMA1
10+: 272.0407 100+: 267.1829 1000+: 264.7539 3000+: 257.4671
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 600V 16A 68W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):16A *功率 - 最大值:68W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):550pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
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