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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
IRG7U100HF12B
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | POWIR® 62 模块 | POWIR® 62 |
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:580W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):12.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:POWIR® 62 模块
供应商器件封装:POWIR® 62
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IRG7U150HF12B
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | POWIR® 62 模块 | POWIR® 62 |
描述:MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:900W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:POWIR® 62 模块
供应商器件封装:POWIR® 62
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IRG7U50HF12A
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | POWIR® 34 模块 | POWIR® 34 |
描述:MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:310W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:POWIR® 34 模块
供应商器件封装:POWIR® 34
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FD800R33KL2CKB5NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
igbt 类型:-
*配置:双制动斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1500A
*功率 - 最大值:9800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FZ1200R33KL2CNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
igbt 类型:-
*配置:*
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2300A
*功率 - 最大值:14500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):145nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FZ1200R33KL2CB5NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
igbt 类型:-
*配置:*
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2300A
*功率 - 最大值:14500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):145nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FZ800R33KL2CNOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 130MM
igbt 类型:-
*配置:*
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1500A
*功率 - 最大值:9800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FZ800R33KL2CB5NOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 130MM
igbt 类型:-
*配置:*
电压 - 集射极击穿(最大值):3300V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1500A
*功率 - 最大值:9800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FA300R12ME4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
*
|
Infineon Technologies |
描述:MODULE IGBT ECONO DUAL 3
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:*
数量:
每包的数量:1
|
|||
FP30R06YE3BOMA1
Datasheet 规格书
ROHS
*
|
Infineon Technologies |
描述:MODULE IGBT CBI E2
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:*
数量:
每包的数量:1
|
|||
BSM50GB170DN2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT 1700V 72A 500W MODULE
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):72A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BSM75GB170DN2HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT 1700V 110A 625W MODULE
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:625W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT100DA120UF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,miniBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):187A
*功率 - 最大值:890W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.15nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
DDB6U134N16RRBOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1600V 70A 500W
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):70A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.75V @ 15V,70A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS100R07N2E4BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 650V 100A 335W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:335W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FS75R12KT4B15BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:385W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FF200R12KT3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MODULE 1200V 1050W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:1050W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF300R12KE4HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1600W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):460A
*功率 - 最大值:1600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:0
|
|
FF200R17KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1700V 310A 1250W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):310A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ600R12KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 900A 2800W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:2800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):42nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS150R06KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 600V 150A 430W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:430W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP75R12KT4B11BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:385W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FP75R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 105A 355W
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):105A
*功率 - 最大值:355W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FS100R12KE3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):140A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|
|
FZ800R12KE3HOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 800A 3550W
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):800A
*功率 - 最大值:3550W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,800A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):56nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:-
每包的数量:1
|