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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt IRG7U100HF12B
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:580W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG7U150HF12B
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG7U50HF12A
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:310W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FD800R33KL2CKB5NOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 190MM igbt 类型:- *配置:双制动斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):3300V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1500A *功率 - 最大值:9800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FZ1200R33KL2CNOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 190MM igbt 类型:- *配置:* 电压 - 集射极击穿(最大值):3300V *电流 - 集电极(ic)(最大值):2300A *功率 - 最大值:14500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):145nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FZ1200R33KL2CB5NOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 190MM igbt 类型:- *配置:* 电压 - 集射极击穿(最大值):3300V *电流 - 集电极(ic)(最大值):2300A *功率 - 最大值:14500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):145nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FZ800R33KL2CNOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 130MM igbt 类型:- *配置:* 电压 - 集射极击穿(最大值):3300V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1500A *功率 - 最大值:9800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FZ800R33KL2CB5NOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 3300V IHV 130MM igbt 类型:- *配置:* 电压 - 集射极击穿(最大值):3300V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1500A *功率 - 最大值:9800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.65V @ 15V,800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):97nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FA300R12ME4BOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies
描述:MODULE IGBT ECONO DUAL 3 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:* 数量: 每包的数量:1
alt FP30R06YE3BOMA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies
描述:MODULE IGBT CBI E2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:* 数量: 每包的数量:1
alt BSM50GB170DN2HOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT 1700V 72A 500W MODULE igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):72A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt BSM75GB170DN2HOSA1
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT 1700V 110A 625W MODULE igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
VS-GT100DA120UF
10+: 391.5893 100+: 384.5966 1000+: 381.1003 3000+: 370.6113
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Vishay SOT-227-4,miniBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):187A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.55V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
DDB6U134N16RRBOSA1
10+: 760.9293 100+: 747.3413 1000+: 740.5473 3000+: 720.1653
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1600V 70A 500W igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):70A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.75V @ 15V,70A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R07N2E4BOSA1
10+: 907.3086 100+: 891.1067 1000+: 883.0057 3000+: 858.7028
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 650V 100A 335W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:335W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.95V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FS75R12KT4B15BOSA1
10+: 1016.7451 100+: 998.5889 1000+: 989.5108 3000+: 962.2766
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:385W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FF200R12KT3HOSA1
10+: 1062.6231 100+: 1043.6477 1000+: 1034.1600 3000+: 1005.6968
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 1050W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:1050W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF300R12KE4HOSA1
10+: 1190.0437 100+: 1168.7929 1000+: 1158.1675 3000+: 1126.2913
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 460A 1600W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):460A *功率 - 最大值:1600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0
FF200R17KE3HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1700V 310A 1250W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):310A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ600R12KE3HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 900A 2800W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):900A *功率 - 最大值:2800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):42nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS150R06KE3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 150A 430W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:430W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP75R12KT4B11BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 75A 385W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:385W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FP75R12KE3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 105A 355W igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FS100R12KE3BOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
FZ800R12KE3HOSA1
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 800A 3550W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):800A *功率 - 最大值:3550W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,800A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
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