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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt VS-GA200HS60S1PBF
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Vishay INT-A-PAK INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 600V 480A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):480A *功率 - 最大值:830W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.21V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32.5nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GA200SA60SP
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MODULE 600V 781W SOT227 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600V *功率 - 最大值:781W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB100DA60UP
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 600V 125A 447W SOT227 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):125A *功率 - 最大值:447W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB100TP120U
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Vishay INT-A-PAK INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:735W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB50LA120UX
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):84A *功率 - 最大值:431W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):50µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB50NA120UX
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):84A *功率 - 最大值:431W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):50µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB70LA60UF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):111A *功率 - 最大值:447W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.44V @ 15V,70A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB70NA60UF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):111A *功率 - 最大值:447W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.44V @ 15V,70A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB75DA120UP
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MODULE 1200V 658W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:658W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.8V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):250µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB75LP120N
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Vishay INT-A-PAK(3 + 4) INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 170A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):170A *功率 - 最大值:658W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.82V @ 15V,75A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB75SA120UP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MODULE 1200V 658W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V *功率 - 最大值:658W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.8V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):250µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT100DA120U
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):258A *功率 - 最大值:893W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT100DA60U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 600V 184A 577W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):184A *功率 - 最大值:577W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT100LA120UX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):134A *功率 - 最大值:463W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT100NA120UX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):134A *功率 - 最大值:463W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT100TP120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay INT-A-PAK(3 + 4) INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK igbt 类型:沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):180A *功率 - 最大值:652W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12.8nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT400TH120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 8) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 600A INT-A-PAK igbt 类型:沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2119W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT400TH120U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 8) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK igbt 类型:沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):750A *功率 - 最大值:2344W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51.2nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT75NP120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay INT-A-PAK(3 + 4) INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:446W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.08V @ 15V,75A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.45nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRGTI090U06
-
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies INT-A-PAK(3 + 4) INT-A-PAK
描述:IGBT MOD HALF BRIDGE 90A UFAST igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):90A *功率 - 最大值:298W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,90A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.8nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FS200R07A1E3BOSA1
-
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT 650V 250A 790W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):250A *功率 - 最大值:790W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FS400R07A1E3BOSA1
-
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 模块 模块
描述:IGBT 650V 500A 1250W igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):500A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG5K100HF12B
-
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:780W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG5K100HH06E
-
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies POWIR ECO 2™ 模块 POWIR ECO 2™
描述:MOD IGBT 600V 100A POWIR ECO 2 igbt 类型:- *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):170A *功率 - 最大值:405W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR ECO 2™ 模块 供应商器件封装:POWIR ECO 2™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG5K150HF12B
-
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:1060W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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