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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
VS-GA200HS60S1PBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-PAK | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 600V 480A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):480A
*功率 - 最大值:830W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.21V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):32.5nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-PAK
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GA200SA60SP
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MODULE 600V 781W SOT227
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600V
*功率 - 最大值:781W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.3V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB100DA60UP
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 600V 125A 447W SOT227
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):125A
*功率 - 最大值:447W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB100TP120U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-PAK | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:735W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-PAK
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB50LA120UX
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):84A
*功率 - 最大值:431W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):50µA
不同?vce 时的输入电容(cies):50µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB50NA120UX
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 84A 431W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):84A
*功率 - 最大值:431W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):50µA
不同?vce 时的输入电容(cies):50µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB70LA60UF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):111A
*功率 - 最大值:447W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.44V @ 15V,70A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB70NA60UF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):111A
*功率 - 最大值:447W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.44V @ 15V,70A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB75DA120UP
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:658W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.8V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):250µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB75LP120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-PAK(3 + 4) | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 170A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):170A
*功率 - 最大值:658W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.82V @ 15V,75A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB75SA120UP
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200V
*功率 - 最大值:658W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.8V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):250µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT100DA120U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):258A
*功率 - 最大值:893W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT100DA60U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 600V 184A 577W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):184A
*功率 - 最大值:577W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT100LA120UX
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):134A
*功率 - 最大值:463W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT100NA120UX
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):134A
*功率 - 最大值:463W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.85V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT100TP120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-PAK(3 + 4) | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
igbt 类型:沟道
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):180A
*功率 - 最大值:652W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):12.8nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT400TH120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 8) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 600A INT-A-PAK
igbt 类型:沟道
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:2119W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT400TH120U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 8) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK
igbt 类型:沟道
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):750A
*功率 - 最大值:2344W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.35V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):51.2nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT75NP120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-PAK(3 + 4) | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:446W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.08V @ 15V,75A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.45nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IRGTI090U06
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | INT-A-PAK(3 + 4) | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD HALF BRIDGE 90A UFAST
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):90A
*功率 - 最大值:298W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,90A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.8nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FS200R07A1E3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT 650V 250A 790W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):250A
*功率 - 最大值:790W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FS400R07A1E3BOSA1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | 模块 | 模块 |
描述:IGBT 650V 500A 1250W
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IRG5K100HF12B
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | POWIR® 62 模块 | POWIR® 62 |
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):11.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:POWIR® 62 模块
供应商器件封装:POWIR® 62
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IRG5K100HH06E
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | POWIR ECO 2™ 模块 | POWIR ECO 2™ |
描述:MOD IGBT 600V 100A POWIR ECO 2
igbt 类型:-
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):170A
*功率 - 最大值:405W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:POWIR ECO 2™ 模块
供应商器件封装:POWIR ECO 2™
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IRG5K150HF12B
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Infineon Technologies | POWIR® 62 模块 | POWIR® 62 |
描述:MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:1060W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:POWIR® 62 模块
供应商器件封装:POWIR® 62
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|