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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt APTGT75DA170D1G
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT 1700V 120A 520W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):120A *功率 - 最大值:520W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75DH60TG
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75SK120D1G
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT 1200V 110A 357W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5345nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75SK120T1G
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75SK170D1G
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT 1700V 120A 520W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):120A *功率 - 最大值:520W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGV15H120T3G
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 igbt 类型:NPT,沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:115W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGV30H60T3G
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 igbt 类型:NPT,沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:90W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FP7G100US60
Power-SPM™
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor EPM7 EPM7
描述:MODULE SPM 600V 100A EPM7 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.085nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:EPM7 供应商器件封装:EPM7 标签: 包装:Power-SPM™ 数量: 每包的数量:1
FP7G50US60
Power-SPM™
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor EPM7 EPM7
描述:MODULE IGBT 600V 50A EPM7 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.92nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:EPM7 供应商器件封装:EPM7 标签: 包装:Power-SPM™ 数量: 每包的数量:1
FP7G75US60
Power-SPM™
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor EPM7 EPM7
描述:MODULE IGBT 600V 75A EPM7 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:310W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.515nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:EPM7 供应商器件封装:EPM7 标签: 包装:Power-SPM™ 数量: 每包的数量:1
CM150DX-24A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 960W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:960W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):23nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
CM200DX-24A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 200A 1250W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):35nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
CM300DX-24A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 300A 1890W igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:1890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):47nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt IXGN200N60A2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 200A 700W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXGN200N60B
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,120A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXSN52N60AU1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 80A 250W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):80A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MII300-12E4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS Y3-LI Y3-LI
描述:IGBT MOD 1200V 280A 1100W Y3LI igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):280A *功率 - 最大值:1100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-LI 供应商器件封装:Y3-LI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MITA15WB1200TMH
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS MINIPACK2 迷你型PACK2
描述:IGBT MOD 1200V 30A MINIPACK2 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A *功率 - 最大值:120W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.1nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:MINIPACK2 供应商器件封装:迷你型PACK2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MWI225-12E9
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E+ E+
描述:IGBT MODULE 1200V 355A 1400W E+ igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):355A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E+ 供应商器件封装:E+ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MWI300-12E9
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E+ E+
描述:IGBT MODULE 1200V 530A 2100W E+ igbt 类型:NPT *配置:Three Phase 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):530A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):22nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E+ 供应商器件封装:E+ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MWI450-12E9
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E+ E+
描述:IGBT MODULE 1200V 640A 2200W E+ igbt 类型:NPT *配置:Three Phase 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):640A *功率 - 最大值:2200W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):33nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E+ 供应商器件封装:E+ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt CM100RL-12NF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 100A 540W igbt 类型:- *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:540W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):15nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt CM100RL-24NF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 100A 620W igbt 类型:- *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:620W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):17.5nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt CM150RL-12NF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 600V 150A 730W igbt 类型:- *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:730W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):23nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt CM150RL-24NF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Powerex Inc. 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 150A 890W igbt 类型:- *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):23nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
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