描述:IGBT 1700V 45A 210W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:45A *功率 - 最大值:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:55A *功率 - 最大值:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:55A *功率 - 最大值:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:55A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:55A *功率 - 最大值:205W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 580A 2100W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:580A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 580A 2100W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:580A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:550A *功率 - 最大值:1750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 75A 270W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1700V 70A 310W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 75A 270W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1700V 70A 310W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 760A 1600W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:760A *功率 - 最大值:1600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5345nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:120A *功率 - 最大值:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 110A 357W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5345nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1