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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
APTGT300DU60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:双,共源
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):430A
*功率 - 最大值:1150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF300U120DG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF500U60D4G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D4 | D4 |
描述:IGBT MODULE 600V 625A 2000W D4
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):625A
*功率 - 最大值:2000W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,500A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D4
供应商器件封装:D4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGT600U120D4G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D4 | D4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 900A 2500W D4
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):900A
*功率 - 最大值:2500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):40nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D4
供应商器件封装:D4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300A170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1660W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):26.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300DU170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:双,共源
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1660W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):26.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT46GA90JD40
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | ISOTOP® |
描述:IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):900V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):87A
*功率 - 最大值:284W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.1V @ 15V,47A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT150GN60JDQ4
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:536W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):50µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT35GP120J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):64A
*功率 - 最大值:284W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.24nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT75GT120JRDQ3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):97A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100DA60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:340W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT150GT120JR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):170A
*功率 - 最大值:830W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):150µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT50TL601G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):80A
*功率 - 最大值:176W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT50H60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):80A
*功率 - 最大值:176W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50H60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):65A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGT75H60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75TL60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100H60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:340W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300SK60D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 600V 400A 940W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300DA120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1380W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT200TL60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 300A 652W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:652W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):12.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300TL60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 400A 935W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:935W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
GHIS030A120S-A1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Global Power Technologies Group | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
GHIS030A120S-A2
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Global Power Technologies Group | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:340W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
GHIS040A060S-A1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Global Power Technologies Group | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):80A
*功率 - 最大值:277W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.72nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|