描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 130A 445W D1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:445W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP6P igbt 类型:NPT *配置:三，双 - 共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 200A 695W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 200A 695W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH BOOST CHOP SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 150A 520W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:520W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 140A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1700V 200A 695W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:695W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 220A 700W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 200A 690W SP4 igbt 类型:NPT *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1700V 280A 780W D1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 225A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1