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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
VIO75-12P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
描述:IGBT MOD 1200V 92A 379W ECO-PAC2
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):92A
*功率 - 最大值:379W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):3.7mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC2
供应商器件封装:ECO-PAC2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VKI50-12P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
描述:IGBT MOD 1200V 49A 208W ECO-PAC2
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):49A
*功率 - 最大值:208W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC2
供应商器件封装:ECO-PAC2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VWI3X20-06P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC1 | ECO-PAC1 |
描述:IGBT MODULE 600V 20A ECO-PAC1
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):20A
*功率 - 最大值:20A
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC1
供应商器件封装:ECO-PAC1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VWI6-12P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
描述:IGBT MOD 1200V 6A 40W ECO-PAC2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):6A
*功率 - 最大值:40W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.6V @ 15V,4A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.205nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC2
供应商器件封装:ECO-PAC2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF15H120T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP3
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):25A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF165A60D1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D1 | D1 |
描述:IGBT MODULE 600V 230A 781W D1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):230A
*功率 - 最大值:781W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF165DA60D1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D1 | D1 |
描述:IGBT MODULE 600V 230A 730W D1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):230A
*功率 - 最大值:730W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF165SK60D1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D1 | D1 |
描述:IGBT MODULE 600V 230A 730W D1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):230A
*功率 - 最大值:730W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF200DA120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:1400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF200SK120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:1400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF25A120T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:208W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF400U120D4G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D4 | D4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 510A 2500W D4
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):510A
*功率 - 最大值:2500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D4
供应商器件封装:D4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF50A120TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50A60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):65A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF50DA120TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50DH60TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):65A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50DU120TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:双,共源
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF50SK120TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF75DA60D1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D1 | D1 |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 355W D1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:355W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF75SK60D1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D1 | D1 |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 355W D1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:355W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90A60D1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D1 | D1 |
描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):半桥
*电流 - 集电极(ic)(最大值):半桥
*功率 - 最大值:半桥
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90A60TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90DA60D1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D1 | D1 |
描述:IGBT MODULE 600V 130A 445W D1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):130A
*功率 - 最大值:445W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D1
供应商器件封装:D1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90DA60TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90DH60TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4
igbt 类型:NPT
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|