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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt VIO75-12P1
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IXYS ECO-PAC2 ECO-PAC2
描述:IGBT MOD 1200V 92A 379W ECO-PAC2 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):92A *功率 - 最大值:379W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):3.7mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC2 供应商器件封装:ECO-PAC2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt VKI50-12P1
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IXYS ECO-PAC2 ECO-PAC2
描述:IGBT MOD 1200V 49A 208W ECO-PAC2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):49A *功率 - 最大值:208W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC2 供应商器件封装:ECO-PAC2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt VWI3X20-06P1
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IXYS ECO-PAC1 ECO-PAC1
描述:IGBT MODULE 600V 20A ECO-PAC1 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A *功率 - 最大值:20A 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC1 供应商器件封装:ECO-PAC1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt VWI6-12P1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS ECO-PAC2 ECO-PAC2
描述:IGBT MOD 1200V 6A 40W ECO-PAC2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):6A *功率 - 最大值:40W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4.6V @ 15V,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):.205nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC2 供应商器件封装:ECO-PAC2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF15H120T3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP3 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:140W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
APTGF165A60D1G
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT MODULE 600V 230A 781W D1 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):230A *功率 - 最大值:781W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF165DA60D1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT MODULE 600V 230A 730W D1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):230A *功率 - 最大值:730W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF165SK60D1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT MODULE 600V 230A 730W D1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):230A *功率 - 最大值:730W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF200DA120D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF200SK120D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF25A120T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:208W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF400U120D4G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D4 D4
描述:IGBT MODULE 1200V 510A 2500W D4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):510A *功率 - 最大值:2500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF50A120TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF50A60T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF50DA120TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF50DH60TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP4 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF50DU120TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4 igbt 类型:NPT *配置:双,共源 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF50SK120TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF75DA60D1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT MODULE 600V 100A 355W D1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF75SK60D1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT MODULE 600V 100A 355W D1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:355W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF90A60D1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):半桥 *电流 - 集电极(ic)(最大值):半桥 *功率 - 最大值:半桥 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF90A60TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:416W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF90DA60D1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D1 D1
描述:IGBT MODULE 600V 130A 445W D1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:445W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF90DA60TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:416W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF90DH60TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:416W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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