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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
APT60GT60JR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MODULE 600V 93A 378W ISOTOP
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):93A
*功率 - 最大值:378W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,60A
电流 - 集电极截止(最大值):80µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APT75GN120JDQ3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):124A
*功率 - 最大值:379W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT75GN120J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):124A
*功率 - 最大值:379W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MII400-12E4
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y3-LI | Y3-LI |
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y3-LI
供应商器件封装:Y3-LI
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXEN60N120
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:445W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,60A
电流 - 集电极截止(最大值):800µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXEN60N120D1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:445W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,60A
电流 - 集电极截止(最大值):800µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXGN50N60BD2
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXGN60N60C2
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):650µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.75nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXGN60N60C2D1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):650µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.75nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXGN80N60A2
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):160A
*功率 - 最大值:625W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值):25µA
不同?vce 时的输入电容(cies):25µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXGN80N60A2D1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):160A
*功率 - 最大值:625W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值):650µA
不同?vce 时的输入电容(cies):650µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXSN55N120A
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4V @ 15V,55A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXSN80N60BD1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):160A
*功率 - 最大值:420W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MDI400-12E4
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y3-LI | Y3-LI |
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y3-LI
供应商器件封装:Y3-LI
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MID400-12E4
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y3-LI | Y3-LI |
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y3-LI
供应商器件封装:Y3-LI
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MID400-12E4T
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y3-LI | Y3-LI |
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1700W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y3-LI
供应商器件封装:Y3-LI
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MIO 600-65E11
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
IXYS | E11 | E11 |
描述:MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11
igbt 类型:NPT
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):6500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.2V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值):120mA
不同?vce 时的输入电容(cies):150nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:E11
供应商器件封装:E11
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIO1200-25E10
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E10 | E10 |
描述:IGBT MODULE 2500V 1200A E10
igbt 类型:NPT
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):2500V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A
*功率 - 最大值:1200A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值):120mA
不同?vce 时的输入电容(cies):186nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E10
供应商器件封装:E10
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MIO1800-17E10
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E10 | E10 |
描述:IGBT MODULE 1700V 1800A E10
igbt 类型:NPT
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):1800A
*功率 - 最大值:1800A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,1800A
电流 - 集电极截止(最大值):120mA
不同?vce 时的输入电容(cies):166nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E10
供应商器件封装:E10
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MIO2400-17E10
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E10 | E10 |
描述:IGBT MODULE 1700V 2400A E10
igbt 类型:NPT
*配置:单开关
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):2400A
*功率 - 最大值:2400A
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,2400A
电流 - 集电极截止(最大值):120mA
不同?vce 时的输入电容(cies):230nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E10
供应商器件封装:E10
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MKI100-12E8
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 165A 640W E3
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):165A
*功率 - 最大值:640W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1.4mA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MKI50-12E7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):90A
*功率 - 最大值:350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):800µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MKI75-12E8
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):130A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MUBW10-06A6
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 600V 11A 45W E1
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):11A
*功率 - 最大值:45W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,6A
电流 - 集电极截止(最大值):20µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.435nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MUBW15-06A6
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 600V 18A 61W E1
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):18A
*功率 - 最大值:61W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,10A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):.57nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|