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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
APT60GT60JR
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MODULE 600V 93A 378W ISOTOP igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):93A *功率 - 最大值:378W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,60A 电流 - 集电极截止(最大值):80µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
APT75GN120JDQ3G
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):124A *功率 - 最大值:379W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT75GN120J
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):124A *功率 - 最大值:379W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MII400-12E4
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IXYS Y3-LI Y3-LI
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:1700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-LI 供应商器件封装:Y3-LI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt IXEN60N120
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:445W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,60A 电流 - 集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXEN60N120D1
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:445W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,60A 电流 - 集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt IXGN50N60BD2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXGN60N60C2
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.75nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXGN60N60C2D1
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 75A 480W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.75nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXGN80N60A2
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):160A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):25µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXGN80N60A2D1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):160A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.35V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):650µA 不同?vce 时的输入电容(cies):650µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXSN55N120A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4V @ 15V,55A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXSN80N60BD1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):160A *功率 - 最大值:420W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MDI400-12E4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS Y3-LI Y3-LI
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:1700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-LI 供应商器件封装:Y3-LI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MID400-12E4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS Y3-LI Y3-LI
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:1700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-LI 供应商器件封装:Y3-LI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MID400-12E4T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS Y3-LI Y3-LI
描述:IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:1700W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-LI 供应商器件封装:Y3-LI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MIO 600-65E11
-
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E11 E11
描述:MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11 igbt 类型:NPT *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):6500V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):4.2V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容(cies):150nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:E11 供应商器件封装:E11 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIO1200-25E10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E10 E10
描述:IGBT MODULE 2500V 1200A E10 igbt 类型:NPT *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):2500V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1200A *功率 - 最大值:1200A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,1200A 电流 - 集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容(cies):186nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E10 供应商器件封装:E10 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MIO1800-17E10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E10 E10
描述:IGBT MODULE 1700V 1800A E10 igbt 类型:NPT *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):1800A *功率 - 最大值:1800A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,1800A 电流 - 集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容(cies):166nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E10 供应商器件封装:E10 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MIO2400-17E10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E10 E10
描述:IGBT MODULE 1700V 2400A E10 igbt 类型:NPT *配置:单开关 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):2400A *功率 - 最大值:2400A 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,2400A 电流 - 集电极截止(最大值):120mA 不同?vce 时的输入电容(cies):230nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E10 供应商器件封装:E10 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MKI100-12E8
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 165A 640W E3 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):165A *功率 - 最大值:640W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1.4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MKI50-12E7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):90A *功率 - 最大值:350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MKI75-12E8
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MUBW10-06A6
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E1 E1
描述:IGBT MODULE 600V 11A 45W E1 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):11A *功率 - 最大值:45W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,6A 电流 - 集电极截止(最大值):20µA 不同?vce 时的输入电容(cies):.435nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt MUBW15-06A6
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E1 E1
描述:IGBT MODULE 600V 18A 61W E1 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):18A *功率 - 最大值:61W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):.57nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
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