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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt IRG5U50HF12A
-
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):85A *功率 - 最大值:390W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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-
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 600V 150A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):8.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 600V 150A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):270A *功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:540W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 600V 200A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):11.9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:540W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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10+: 76.0879 100+: 74.7292 1000+: 74.0498 3000+: 72.0117
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:620W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:620W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12.9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:450W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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10+: 81.3907 100+: 79.9373 1000+: 79.2106 3000+: 77.0305
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Infineon Technologies POWIR® 34 模块 POWIR® 34
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:575W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 34 模块 供应商器件封装:POWIR® 34 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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10+: 87.2252 100+: 85.6676 1000+: 84.8888 3000+: 82.5524
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Infineon Technologies POWIR ECO 2™ 模块 POWIR ECO 2™
描述:MOD IGBT 600V 75A 6PK POWIR ECO igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:330W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR ECO 2™ 模块 供应商器件封装:POWIR ECO 2™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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-
10+: 95.5908 100+: 93.8838 1000+: 93.0303 3000+: 90.4698
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Infineon Technologies POWIR ECO 2™ 模块 POWIR ECO 2™
描述:MOD IGBT 1200V 50A POWIR ECO 2 igbt 类型:- *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):85A *功率 - 最大值:390W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR ECO 2™ 模块 供应商器件封装:POWIR ECO 2™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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-
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):180A *功率 - 最大值:780W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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10+: 118.1438 100+: 116.0341 1000+: 114.9792 3000+: 111.8146
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 600V 300A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):480A *功率 - 最大值:1200W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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10+: 122.3202 100+: 120.1360 1000+: 119.0438 3000+: 115.7674
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Infineon Technologies POWIR ECO 2™ 模块 POWIR ECO 2™
描述:MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2 igbt 类型:- *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:540W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR ECO 2™ 模块 供应商器件封装:POWIR ECO 2™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG5K400HF06B
-
10+: 132.4577 100+: 130.0924 1000+: 128.9097 3000+: 125.3617
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 600V 400A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):670A *功率 - 最大值:1620W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):25nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG7T200CL12B
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10+: 137.2037 100+: 134.7536 1000+: 133.5286 3000+: 129.8535
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):390A *功率 - 最大值:1060W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):22.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG5U150HF12B
-
10+: 139.2666 100+: 136.7797 1000+: 135.5363 3000+: 131.8059
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):260A *功率 - 最大值:1100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):285A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):22.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG5K200HF12B
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10+: 146.5059 100+: 143.8897 1000+: 142.5816 3000+: 138.6573
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG7T200HF12B
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10+: 152.1757 100+: 149.4583 1000+: 148.0996 3000+: 144.0235
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1060W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):22.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG7T400SD12B
-
10+: 154.7576 100+: 151.9940 1000+: 150.6123 3000+: 146.4670
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 400A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):780A *功率 - 最大值:2140W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):58.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG7U200HF12B
-
10+: 157.6558 100+: 154.8405 1000+: 153.4329 3000+: 149.2099
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1130W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IRG7T300CL12B
-
10+: 166.6036 100+: 163.6285 1000+: 162.1410 3000+: 157.6784
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Infineon Technologies POWIR® 62 模块 POWIR® 62
描述:MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 igbt 类型:- *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):570A *功率 - 最大值:1600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):42.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:POWIR® 62 模块 供应商器件封装:POWIR® 62 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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