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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
APT150GN120J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):215A
*功率 - 最大值:625W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT75GT120JU2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.34nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MG1250S-BA1MM
Datasheet 规格书
ROHS
|
Littelfuse Inc. | S-3 模块 | S3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):80A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,50A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.29nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:S-3 模块
供应商器件封装:S3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MG1275S-BA1MM
Datasheet 规格书
ROHS
|
Littelfuse Inc. | S-3 模块 | S3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):105A
*功率 - 最大值:630W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,75A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:S-3 模块
供应商器件封装:S3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF180H60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:833W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,180A
电流 - 集电极截止(最大值):300µA
不同?vce 时的输入电容(cies):8.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
IXYN100N65C3H1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):166A
*功率 - 最大值:600W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,70A
电流 - 集电极截止(最大值):50µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.98nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座,接线柱安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
STGE50NC60WD
Datasheet 规格书
ROHS
PowerMESH™
|
STMicroelectronics | ISOTOP | ISOTOP |
描述:IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP
igbt 类型:-
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:260W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP
标签:
包装:PowerMESH™
数量:
每包的数量:1
|
|
APT100GT60JR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):148A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):25µA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.15nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT150GN60J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:536W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):25µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT60GA60JD60
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):112A
*功率 - 最大值:356W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,62A
电流 - 集电极截止(最大值):275µA
不同?vce 时的输入电容(cies):8.01nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT75GN120JDQ3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):124A
*功率 - 最大值:379W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT100GN120J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):153A
*功率 - 最大值:446W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IXYN100N120C3
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):152A
*功率 - 最大值:830W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):25µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT70GR120JD60
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4 | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):112A
*功率 - 最大值:543W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,70A
电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.26nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT85GR120JD60
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):116A
*功率 - 最大值:543W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,85A
电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):8.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT80GP60J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):151A
*功率 - 最大值:462W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.84nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT100GT120JU3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):140A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW10-06A7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 600V 20A 85W E2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):20A
*功率 - 最大值:85W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,10A
电流 - 集电极截止(最大值):600µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.6nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT50SK170T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF30H60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):42A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.35nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VS-50MT060WHTAPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 12-MTP 模块 | MTP |
描述:IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):114A
*功率 - 最大值:658W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):400µA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.1nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:12-MTP 模块
供应商器件封装:MTP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100TL60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:340W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT50DH120TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP4
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:277W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90H60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 600V 120A 416W SP3
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):120A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.4nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGL180A120T3AG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 230A 940W SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):230A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):300µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|