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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
APT150GN120J
10+: 319.8677 100+: 314.1558 1000+: 311.2999 3000+: 302.7320
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):215A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT75GT120JU2
10+: 227.7321 100+: 223.6654 1000+: 221.6321 3000+: 215.5321
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Microsemi Corporation ISOTOP SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:416W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MG1250S-BA1MM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Littelfuse Inc. S-3 模块 S3
描述:IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):80A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,50A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.29nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MG1275S-BA1MM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Littelfuse Inc. S-3 模块 S3
描述:IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):105A *功率 - 最大值:630W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,75A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.52nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF180H60G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):220A *功率 - 最大值:833W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,180A 电流 - 集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容(cies):8.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
IXYN100N65C3H1
10+: 225.0996 100+: 221.0800 1000+: 219.0702 3000+: 213.0407
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):166A *功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,70A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.98nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STGE50NC60WD
PowerMESH™
10+: 30.4883 100+: 29.9439 1000+: 29.6717 3000+: 28.8550
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STMicroelectronics ISOTOP ISOTOP
描述:IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP igbt 类型:- *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:260W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP 标签: 包装:PowerMESH™ 数量: 每包的数量:1
APT100GT60JR
10+: 232.7818 100+: 228.6250 1000+: 226.5466 3000+: 220.3114
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):148A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT150GN60J
10+: 218.4932 100+: 214.5915 1000+: 212.6407 3000+: 206.7882
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):220A *功率 - 最大值:536W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT60GA60JD60
10+: 231.2251 100+: 227.0961 1000+: 225.0316 3000+: 218.8381
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Microsemi Corporation SOT-227-4,MINIBLOC ISOTOP®
描述:IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):112A *功率 - 最大值:356W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,62A 电流 - 集电极截止(最大值):275µA 不同?vce 时的输入电容(cies):8.01nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT75GN120JDQ3
10+: 243.2736 100+: 238.9295 1000+: 236.7574 3000+: 230.2411
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):124A *功率 - 最大值:379W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT100GN120J
10+: 252.8036 100+: 248.2893 1000+: 246.0321 3000+: 239.2606
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Microsemi Corporation SOT-227-4,MINIBLOC ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):153A *功率 - 最大值:446W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IXYN100N120C3
10+: 323.9430 100+: 318.1583 1000+: 315.2659 3000+: 306.5889
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):152A *功率 - 最大值:830W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT70GR120JD60
10+: 272.1420 100+: 267.2823 1000+: 264.8525 3000+: 257.5629
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Microsemi Corporation SOT-227-4 SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):112A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,70A 电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT85GR120JD60
10+: 287.5064 100+: 282.3723 1000+: 279.8053 3000+: 272.1042
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Microsemi Corporation SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):116A *功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,85A 电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):8.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT80GP60J
10+: 310.9200 100+: 305.3678 1000+: 302.5917 3000+: 294.2635
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):151A *功率 - 最大值:462W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.84nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT100GT120JU3
10+: 281.0898 100+: 276.0703 1000+: 273.5606 3000+: 266.0314
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Microsemi Corporation ISOTOP SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUBW10-06A7
10+: 551.8143 100+: 541.9604 1000+: 537.0335 3000+: 522.2528
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 600V 20A 85W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A *功率 - 最大值:85W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,10A 电流 - 集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容(cies):.6nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT50SK170T1G
10+: 453.9960 100+: 445.8890 1000+: 441.8354 3000+: 429.6748
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF30H60T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):42A *功率 - 最大值:140W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
VS-50MT060WHTAPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 12-MTP 模块 MTP
描述:IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):114A *功率 - 最大值:658W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):400µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.1nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:12-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT100TL60T3G
10+: 815.5526 100+: 800.9892 1000+: 793.7075 3000+: 771.8623
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT50DH120TG
10+: 823.9183 100+: 809.2054 1000+: 801.8490 3000+: 779.7798
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:277W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF90H60T3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 600V 120A 416W SP3 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):120A *功率 - 最大值:416W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
APTGL180A120T3AG
10+: 996.2424 100+: 978.4523 1000+: 969.5573 3000+: 942.8722
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 1200V 230A 940W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):230A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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