描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:340A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，225A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:340A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，225A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1500W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:420A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:18.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 440A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:440A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V SP6C igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 700A 3900W D4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:3900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 910A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:910A *功率 - 最大值:3125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，600A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:41nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK（5） 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:430A *功率 - 最大值:1150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.52nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:560A *功率 - 最大值:1785W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:560A *功率 - 最大值:1785W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6 igbt 类型:NPT *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:250A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:530A *功率 - 最大值:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 350A 1000W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:350A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 800A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800A *功率 - 最大值:2604W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 660A INT-A-PAK igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:660A *功率 - 最大值:2660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.6V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33.7nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V SP6C igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- *功率 - 最大值:- 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:580A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:29nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 700A 1900W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:1900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.35V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.58nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1