描述:IGBT MODULE 1700V 530A 1470W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:530A *功率 - 最大值:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1700V 530A 1470W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:530A *功率 - 最大值:1470W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:26nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1040W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:1040W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 70A 310W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三，双 - 共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:310W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:Three Phase 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三，双 - 共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK igbt 类型:沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:341A *功率 - 最大值:1042W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.17V @ 15V，300A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:36nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK（3 + 8） 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 860A 2800W D4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:860A *功率 - 最大值:2800W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，800A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:36nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1000W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:1000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK igbt 类型:沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:160A *功率 - 最大值:417W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.71nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 550A 1750W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:550A *功率 - 最大值:1750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 215A 690W E3 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.77nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 750A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:750A *功率 - 最大值:1563W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.52V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK（3 + 8） 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 800A 2080W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:800A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:33nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:420A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:420A *功率 - 最大值:1380W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:420A *功率 - 最大值:1380W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 910A 3000W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:910A *功率 - 最大值:3000W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:Three Phase 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 517W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三，双 - 共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:517W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1