服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
APTGF300DA120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF300SK120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1780W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF150DH120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6
igbt 类型:NPT
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:961W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MG12300D-BA1MM
Datasheet 规格书
ROHS
|
Littelfuse Inc. | 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 450A 1800W D3
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:1800W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):21.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA151W1200EH
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | - | - |
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 695W
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:695W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):500µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF330A60D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 600V 520A 1560W D3
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):520A
*功率 - 最大值:1560W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGV50H120BTPG
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6-P |
描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P
igbt 类型:NPT,沟槽型场截止
*配置:升压斩波器,全桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:270W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6-P
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT400U120D4G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D4 | D4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 600A 2250W D4
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):600A
*功率 - 最大值:2250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):8mA
不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D4
供应商器件封装:D4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA450PF1200TSF
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | 模块 | 模块 |
描述:IGBT MOD 1200V 650A 2100W
igbt 类型:PT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):650A
*功率 - 最大值:2100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1mA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI100-12A8T
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):160A
*功率 - 最大值:640W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):6.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150A170G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):250A
*功率 - 最大值:890W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI100-12A8
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):160A
*功率 - 最大值:640W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):6.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GA300TD60S
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 8) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):530A
*功率 - 最大值:1136W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):750µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300DA170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1660W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):26.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300SK170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1660W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):26.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI200-06A8T
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 600V 225A 675W E3
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):225A
*功率 - 最大值:675W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):1.8mA
不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB300LH120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 4) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500A
*功率 - 最大值:1645W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,300A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):21.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB300NH120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 4) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500A
*功率 - 最大值:1645W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):21.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150TA60PG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6-P |
描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP6P
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:Three Phase
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):225A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6-P
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150TDU60PG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6-P |
描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP6P
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三,双 - 共源
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):225A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6-P
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150DH170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):250A
*功率 - 最大值:890W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB400AH120U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(5) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 550A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):550A
*功率 - 最大值:2841W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.6V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):33.7nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(5)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF250A60D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF300DA120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:2100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF300SK120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:2100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|