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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
APTGF300DA120G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF300SK120G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF150DH120G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:961W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
MG12300D-BA1MM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Littelfuse Inc. 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 450A 1800W D3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:1800W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA151W1200EH
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS - -
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 695W igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):220A *功率 - 最大值:695W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):500µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF330A60D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 600V 520A 1560W D3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):520A *功率 - 最大值:1560W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGV50H120BTPG
-
10+: 192.2193 100+: 188.7868 1000+: 187.0706 3000+: 181.9219
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Microsemi Corporation SP6 SP6-P
描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P igbt 类型:NPT,沟槽型场截止 *配置:升压斩波器,全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:270W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT400U120D4G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation D4 D4
描述:IGBT MODULE 1200V 600A 2250W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):600A *功率 - 最大值:2250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容(cies):28nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA450PF1200TSF
10+: 1093.7315 100+: 1074.2006 1000+: 1064.4351 3000+: 1035.1388
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IXYS 模块 模块
描述:IGBT MOD 1200V 650A 2100W igbt 类型:PT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):650A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MWI100-12A8T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):160A *功率 - 最大值:640W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150A170G
-
10+: 194.4468 100+: 190.9745 1000+: 189.2384 3000+: 184.0300
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):250A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MWI100-12A8
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):160A *功率 - 最大值:640W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):6.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GA300TD60S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 8) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):530A *功率 - 最大值:1136W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):750µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT300DA170G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):26.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT300SK170G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):26.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MWI200-06A8T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 600V 225A 675W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:675W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1.8mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB300LH120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 4) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):500A *功率 - 最大值:1645W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,300A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB300NH120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 4) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):500A *功率 - 最大值:1645W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):21.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150TA60PG
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6-P
描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:Three Phase 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150TDU60PG
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6-P
描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三,双 - 共源 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150DH170G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):250A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB400AH120U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(5) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 550A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):550A *功率 - 最大值:2841W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.6V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):33.7nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(5) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF250A60D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF300DA120D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF300SK120D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:2100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):19nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
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