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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
APTGT450SK60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 550A 1750W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):550A
*功率 - 最大值:1750W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,450A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150A120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:690W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB50YF120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 模块 | ECONO2 4PACK |
描述:IGBT MOD 1200V 66A ECONO2 4PACK
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):66A
*功率 - 最大值:330W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.5V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):250µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:ECONO2 4PACK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF360U60D4G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D4 | D4 |
描述:IGBT MODULE 600V 450A 1560W D4
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):450A
*功率 - 最大值:1560W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,360A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D4
供应商器件封装:D4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGT300SK120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1380W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB150TH120U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 4) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 280A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):280A
*功率 - 最大值:1147W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.6V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):12.7nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100TDU60PG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6-P |
描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP6P
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三,双 - 共源
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:340W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6-P
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150DH120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:690W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI75-12A8T
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | - | - |
描述:IGBT MODULE 1200V 125A 500W
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):125A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GP300TD60S
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 8) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK
igbt 类型:PT,沟道
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):580A
*功率 - 最大值:1136W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):150µA
不同?vce 时的输入电容(cies):150µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIEB101W1200EH
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):183A
*功率 - 最大值:630W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):300µA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.43nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150TL60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 200A 480W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI150-06A8T
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 600V 170A 515W E3
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):170A
*功率 - 最大值:515W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):1.5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300DA120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT 1200V 440A 1250W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):440A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):8mA
不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300SK120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT 1200V 440A 1250W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):440A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):8mA
不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGL325DA120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1500W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGL325SK120D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1500W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):420A
*功率 - 最大值:1500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGT300A60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):430A
*功率 - 最大值:1150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100DH170G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:560W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT225DA170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):340A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT225SK170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):340A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF330SK60D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 600V 460A 1400W D3
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):460A
*功率 - 最大值:1400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGT300A60D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 600V 400A 940W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT200DA170D3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT 1700V 400A 1250W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT200SK170D3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT 1700V 400A 1250W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:1250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|