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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt APTGT450SK60G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 550A 1750W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):550A *功率 - 最大值:1750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150A120G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB50YF120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 模块 ECONO2 4PACK
描述:IGBT MOD 1200V 66A ECONO2 4PACK igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):66A *功率 - 最大值:330W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4.5V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):250µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:ECONO2 4PACK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF360U60D4G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D4 D4
描述:IGBT MODULE 600V 450A 1560W D4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):450A *功率 - 最大值:1560W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,360A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGT300SK120G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:1380W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB150TH120U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 4) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 280A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):280A *功率 - 最大值:1147W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.6V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):12.7nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT100TDU60PG
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6-P
描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三,双 - 共源 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150DH120G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MWI75-12A8T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS - -
描述:IGBT MODULE 1200V 125A 500W igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):125A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GP300TD60S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 8) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK igbt 类型:PT,沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):580A *功率 - 最大值:1136W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容(cies):150µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 8) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIEB101W1200EH
10+: 1218.5197 100+: 1196.7604 1000+: 1185.8808 3000+: 1153.2418
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):183A *功率 - 最大值:630W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.43nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT150TL60G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 200A 480W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MWI150-06A8T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 600V 170A 515W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):170A *功率 - 最大值:515W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT300DA120D3G
-
10+: 175.4248 100+: 172.2922 1000+: 170.7259 3000+: 166.0271
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT 1200V 440A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):440A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT300SK120D3G
-
10+: 175.4248 100+: 172.2922 1000+: 170.7259 3000+: 166.0271
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT 1200V 440A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):440A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):8mA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGL325DA120D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1500W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGL325SK120D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 420A 1500W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):420A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGT300A60G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):430A *功率 - 最大值:1150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT100DH170G
-
10+: 176.0070 100+: 172.8640 1000+: 171.2925 3000+: 166.5780
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:560W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT225DA170G
10+: 1214.2420 100+: 1192.5591 1000+: 1181.7176 3000+: 1149.1933
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT225SK170G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):340A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):20nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF330SK60D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 600V 460A 1400W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):460A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGT300A60D3G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
我要买
Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 600V 400A 940W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT200DA170D3G
-
10+: 178.9305 100+: 175.7353 1000+: 174.1377 3000+: 169.3450
我要买
Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT 1700V 400A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT200SK170D3G
-
10+: 178.9305 100+: 175.7353 1000+: 174.1377 3000+: 169.3450
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT 1700V 400A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):17nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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