描述:IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3 igbt 类型:PT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:120A *功率 - 最大值:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 74A 290W E3 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:74A *功率 - 最大值:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 275A 1136W SP6 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:275A *功率 - 最大值:1136W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:360W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 500A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 600V 500A 1250W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3 igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:155A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 170A 515W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:170A *功率 - 最大值:515W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三，双 - 共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 4500V 60A igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:4500V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:60A *功率 - 最大值:60A 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，67A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 10V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1050W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 300A 1050W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:1050W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 125A 500W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:125A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.6V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 465A 1500W igbt 类型:PT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:465A *功率 - 最大值:1500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS IGBT PWR MODULE 1.2KV 330A igbt 类型:NPT *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:330A *功率 - 最大值:1380W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:13mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:125A *功率 - 最大值:640W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.3mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 720A 1750W igbt 类型:PT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:720A *功率 - 最大值:1750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.8mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 430A 1562W SP6 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:430A *功率 - 最大值:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 400A 1250W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 600V 209A INT-A-PAK igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:209A *功率 - 最大值:781W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.84V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:270A *功率 - 最大值:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 550A 1750W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:550A *功率 - 最大值:1750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:37nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1