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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
MII150-12A4
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y3-DCB | Y3-DCB |
描述:IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):180A
*功率 - 最大值:760W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):7.5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y3-DCB
供应商器件封装:Y3-DCB
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT200DA120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):280A
*功率 - 最大值:890W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT200SK120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):280A
*功率 - 最大值:890W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300DA60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):430A
*功率 - 最大值:1150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300SK60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):430A
*功率 - 最大值:1150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW50-12A8
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 85A 350W E3
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):85A
*功率 - 最大值:350W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):3.7mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT300DA60D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 600V 400A 940W D3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):400A
*功率 - 最大值:940W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FPF2G120BF07ASP
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Fairchild Semiconductor | 模块 | * |
描述:IC LOAD SWITCH
igbt 类型:场截止
*配置:3 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:156W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:*
封装/外壳:模块
供应商器件封装:*
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150H60TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP4
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):225A
*功率 - 最大值:480W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW50-12T8
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 80A 270W E3
igbt 类型:沟道
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):80A
*功率 - 最大值:270W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):2.7mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.5nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150SK120G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:690W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100DU170TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:双,共源
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:560W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW100-06A8
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 600V 125A 410W E3
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):125A
*功率 - 最大值:410W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):1.4mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF330DA60D3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | D-3 模块 | D3 |
描述:IGBT MODULE 600V 460A 1400W D3
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):460A
*功率 - 最大值:1400W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF150A120T3AG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 210A 1041W SP3
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):210A
*功率 - 最大值:1041W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VS-20MT050XC
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | - | - |
描述:MOD IGBT 20A 500V MTP
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT200DH60G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):290A
*功率 - 最大值:625W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):12.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150DA170G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT 1700V 250A 890W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):250A
*功率 - 最大值:890W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT150SK170G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP6 | SP6 |
描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):250A
*功率 - 最大值:890W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75H120TG
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:357W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.34nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MDI300-12A4
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y3-DCB | Y3-DCB |
描述:IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3-DCB
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):330A
*功率 - 最大值:1380W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):13mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y3-DCB
供应商器件封装:Y3-DCB
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MID300-12A4
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y3-DCB | Y3-DCB |
描述:IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):330A
*功率 - 最大值:1380W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值):13mA
不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y3-DCB
供应商器件封装:Y3-DCB
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB150LH120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 双 INT-A-PAK(3 + 4) | 双 INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):300A
*功率 - 最大值:1389W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.87V @ 15V,150A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):10.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:双 INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA100W1200TEH
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):155A
*功率 - 最大值:500W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):300µA
不同?vce 时的输入电容(cies):300µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA80WB1200TEH
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E3 | E3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):120A
*功率 - 最大值:390W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,77A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):200µA
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E3
供应商器件封装:E3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|