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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt MII150-12A4
10+: 864.5946 100+: 849.1555 1000+: 841.4359 3000+: 818.2771
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IXYS Y3-DCB Y3-DCB
描述:IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):180A *功率 - 最大值:760W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):7.5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT200DA120G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT200SK120G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT300DA60G
10+: 1237.5670 100+: 1215.4676 1000+: 1204.4178 3000+: 1171.2687
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):430A *功率 - 最大值:1150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT300SK60G
10+: 1237.5670 100+: 1215.4676 1000+: 1204.4178 3000+: 1171.2687
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):430A *功率 - 最大值:1150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):24nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MUBW50-12A8
10+: 1109.8553 100+: 1090.0364 1000+: 1080.1270 3000+: 1050.3987
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 85A 350W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):85A *功率 - 最大值:350W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):3.7mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT300DA60D3G
10+: 1173.8187 100+: 1152.8576 1000+: 1142.3771 3000+: 1110.9355
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 600V 400A 940W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):400A *功率 - 最大值:940W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):18.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt FPF2G120BF07ASP
-
10+: 138.3048 100+: 135.8350 1000+: 134.6002 3000+: 130.8956
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Fairchild Semiconductor 模块 *
描述:IC LOAD SWITCH igbt 类型:场截止 *配置:3 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):650V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:156W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:* 封装/外壳:模块 供应商器件封装:* 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150H60TG
10+: 1250.2103 100+: 1227.8851 1000+: 1216.7225 3000+: 1183.2348
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MUBW50-12T8
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 80A 270W E3 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):80A *功率 - 最大值:270W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):2.7mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.5nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT150SK120G
10+: 1156.3154 100+: 1135.6670 1000+: 1125.3427 3000+: 1094.3700
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT100DU170TG
10+: 1191.4991 100+: 1170.2224 1000+: 1159.5840 3000+: 1127.6688
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双,共源 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:560W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MUBW100-06A8
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 600V 125A 410W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):125A *功率 - 最大值:410W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):1.4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF330DA60D3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 600V 460A 1400W D3 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):460A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):18nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
APTGF150A120T3AG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 1200V 210A 1041W SP3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):210A *功率 - 最大值:1041W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt VS-20MT050XC
10+: 1187.6390 100+: 1166.4312 1000+: 1155.8273 3000+: 1124.0155
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Vishay - -
描述:MOD IGBT 20A 500V MTP igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT200DH60G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):290A *功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150DA170G
-
10+: 144.8859 100+: 142.2986 1000+: 141.0050 3000+: 137.1241
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT 1700V 250A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):250A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT150SK170G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):250A *功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):13.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75H120TG
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MDI300-12A4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS Y3-DCB Y3-DCB
描述:IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3-DCB igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):330A *功率 - 最大值:1380W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):13mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MID300-12A4
10+: 949.8834 100+: 932.9212 1000+: 924.4401 3000+: 898.9968
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IXYS Y3-DCB Y3-DCB
描述:IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):330A *功率 - 最大值:1380W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):13mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB150LH120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 双 INT-A-PAK(3 + 4) 双 INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):300A *功率 - 最大值:1389W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.87V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:双 INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA100W1200TEH
10+: 895.0197 100+: 879.0372 1000+: 871.0459 3000+: 847.0722
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 155A 500W E3 igbt 类型:PT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):155A *功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):300µA 不同?vce 时的输入电容(cies):300µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA80WB1200TEH
10+: 855.5456 100+: 840.2680 1000+: 832.6292 3000+: 809.7128
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IXYS E3 E3
描述:IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3 igbt 类型:PT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):120A *功率 - 最大值:390W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,77A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):200µA *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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