描述:MOD IGBT 1200V 220A SP2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4 igbt 类型:NPT *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:210A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 130A 410W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，180A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 430A 1562W SP6 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:430A *功率 - 最大值:1562W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，360A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:17.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3 igbt 类型:PT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:120A *功率 - 最大值:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 220A 833W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:270A *功率 - 最大值:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:270A *功率 - 最大值:1130W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:10mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 135A 568W SP4 igbt 类型:NPT *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:135A *功率 - 最大值:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 igbt 类型:- *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:183A *功率 - 最大值:630W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4 igbt 类型:NPT *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 130A 410W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:410W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 360A 1100W igbt 类型:PT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:360A *功率 - 最大值:1100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，225A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:300µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:220A *功率 - 最大值:690W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 355W E2 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:355W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:Three Phase 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP6P igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三，双 - 共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1