描述:IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:85A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 75A 260W igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:260W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，50A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.43nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:180A *功率 - 最大值:760W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:7.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:180A *功率 - 最大值:760W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:7.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y3-DCB 供应商器件封装:Y3-DCB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 108A INT-A-PAK igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:108A *功率 - 最大值:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.85V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 25A 105W igbt 类型:- *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A *功率 - 最大值:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，40A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 80A 463W MTP igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.91V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.28nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:12-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 80A 463W MTP igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:463W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:4.91V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.28nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:12-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 85A 290W E3 igbt 类型:PT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:85A *功率 - 最大值:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 100A 320W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:320W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.2nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 igbt 类型:NPT，沟槽型场截止 *配置:升压斩波器，全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 igbt 类型:NPT，沟槽型场截止 *配置:升压斩波器，全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:288A *功率 - 最大值:1087W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 185A 650W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:185A *功率 - 最大值:650W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:85A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK igbt 类型:沟道 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:221A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.12V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:60µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:60µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4 igbt 类型:NPT *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 120A 390W E2 igbt 类型:PT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:120A *功率 - 最大值:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1