描述:IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:160A *功率 - 最大值:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:657W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 45A 210W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:45A *功率 - 最大值:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 65A 220W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 igbt 类型:NPT，沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 75A 250W E3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:800µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 135A 568W SP4 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:135A *功率 - 最大值:568W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MOD 1200V 105A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，75A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.3nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 igbt 类型:NPT，沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3 igbt 类型:PT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:120A *功率 - 最大值:390W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，77A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E3 供应商器件封装:E3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP4 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:55A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 595W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:595W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 138A INT-A-PAK igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:138A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:200µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK（3 + 4） 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 230A 833W SP3 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:230A *功率 - 最大值:833W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.5V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1