描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:单相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 65A 220W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:220W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.95nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2 igbt 类型:PT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:60A *功率 - 最大值:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:72A *功率 - 最大值:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:900µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:290A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:290A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:12.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 igbt 类型:NPT，沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:156W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A *功率 - 最大值:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:357W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 42A 140W SP3 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:42A *功率 - 最大值:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:55A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:145A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.93nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1700V 75A 312W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1