描述:IGBT MODULE 1200V 130A 735W SP1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:130A *功率 - 最大值:735W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30A *功率 - 最大值:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2 igbt 类型:PT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:85A *功率 - 最大值:290W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，55A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:500µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:160A *功率 - 最大值:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 160A 700W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:160A *功率 - 最大值:700W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOD IGBT 1200V 80A SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 igbt 类型:NPT，沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 160A ISOPLUS227 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:160A *功率 - 最大值:416W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，120A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:11nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOPLUS227™ 供应商器件封装:ISOPLUS220™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:270W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP1 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V E2 igbt 类型:- *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600V *功率 - 最大值:600V 不同?vge，ic 时的?vce（on）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?vce 时的输入电容（cies）:- *输入:- *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 121A 462W MTP igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:121A *功率 - 最大值:462W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.29V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:16-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOD IGBT 1200V 80A SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:280W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.77nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 650V 200A 350W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:350W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 45A 170W E2 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:45A *功率 - 最大值:170W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.15V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2.7mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.8nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:277W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1