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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt VS-GT140DA60U
10+: 510.5810 100+: 501.4635 1000+: 496.9047 3000+: 483.2285
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:652W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):100µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MUBW15-12A7
10+: 610.1837 100+: 599.2876 1000+: 593.8395 3000+: 577.4953
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 1200V 35A 180W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):35A *功率 - 最大值:180W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):900µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MKI75-06A7
10+: 602.8306 100+: 592.0658 1000+: 586.6833 3000+: 570.5361
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 600V 90A 280W E2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):90A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75DDA60T3G
10+: 524.9456 100+: 515.5715 1000+: 510.8845 3000+: 496.8235
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75DSK60T3G
-
10+: 69.0891 100+: 67.8554 1000+: 67.2385 3000+: 65.3879
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF15H120T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP1 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:140W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
APTGF90DH60T3G
-
10+: 69.3549 100+: 68.1164 1000+: 67.4972 3000+: 65.6394
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):110A *功率 - 最大值:416W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MWI50-06A7
10+: 685.3097 100+: 673.0721 1000+: 666.9532 3000+: 648.5967
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):72A *功率 - 最大值:225W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-20MT120UFAPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 16-MTP 模块 MTP
描述:IGBT MODULE 1200V 20A 240W MTP igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A *功率 - 最大值:240W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4.66V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.79nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:16-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-20MT120UFP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 16-MTP 模块 MTP
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 240W MTP igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:240W 不同?vge,ic 时的?vce(on):4.66V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.79nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:16-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF50TL60T3G
-
10+: 70.0889 100+: 68.8373 1000+: 68.2115 3000+: 66.3342
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 igbt 类型:NPT *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-70MT060WSP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 12-MTP 模块 MTP
描述:IGBT MODULE 600V 96A 378W MTP igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):96A *功率 - 最大值:378W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.43nF @ 30V *输入:单相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:12-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF25DDA120T3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:208W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt APTGF25DSK120T3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):40A *功率 - 最大值:208W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
VKI75-06P1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS ECO-PAC2 ECO-PAC2
描述:IGBT MOD 600V 69A 208W ECO-PAC2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):69A *功率 - 最大值:208W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):800µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC2 供应商器件封装:ECO-PAC2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MUBW30-06A7
10+: 630.7624 100+: 619.4988 1000+: 613.8670 3000+: 596.9715
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 600V 50A 180W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):50A *功率 - 最大值:180W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.6nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75DA170T1G
-
10+: 71.3166 100+: 70.0431 1000+: 69.4063 3000+: 67.4960
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT 1700V 130A 465W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):130A *功率 - 最大值:465W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MKI75-06A7T
10+: 617.7520 100+: 606.7207 1000+: 601.2051 3000+: 584.6582
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 600V 90A 280W E2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):90A *功率 - 最大值:280W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.3mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MII75-12A3
10+: 493.4068 100+: 484.5960 1000+: 480.1906 3000+: 466.9743
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IXYS Y4-M5 Y4-M5
描述:IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):90A *功率 - 最大值:370W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT100DH60T3G
-
10+: 72.5062 100+: 71.2115 1000+: 70.5641 3000+: 68.6220
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:MOD IGBT 600V 150A SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA40W1200TED
10+: 507.5815 100+: 498.5176 1000+: 493.9856 3000+: 480.3897
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2 igbt 类型:PT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):60A *功率 - 最大值:195W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):2.1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GB50LP120N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay INT-A-PAK(3 + 4) INT-A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:446W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,50A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.29nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4) 供应商器件封装:INT-A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF50A120T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP1 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt VS-70MT060WHTAPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 12-MTP 模块 MTP
描述:IGBT MODULE 600V 100A 347W MTP igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:347W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,140A 电流 - 集电极截止(最大值):700µA 不同?vce 时的输入电容(cies):8nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:12-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA30WB1200TED
10+: 542.7019 100+: 533.0108 1000+: 528.1653 3000+: 513.6286
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IXYS E2 E2
描述:IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2 igbt 类型:PT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):43A *功率 - 最大值:150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):1.5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.5mA *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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