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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
VS-GT140DA60U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:652W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW15-12A7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 1200V 35A 180W E2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):35A
*功率 - 最大值:180W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):900µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MKI75-06A7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):90A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75DDA60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:双路升压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75DSK60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:双路降压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF15H120T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):25A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF90DH60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
igbt 类型:NPT
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI50-06A7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):72A
*功率 - 最大值:225W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):600µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-20MT120UFAPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 16-MTP 模块 | MTP |
描述:IGBT MODULE 1200V 20A 240W MTP
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):20A
*功率 - 最大值:240W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.66V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.79nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:16-MTP 模块
供应商器件封装:MTP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-20MT120UFP
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 16-MTP 模块 | MTP |
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 240W MTP
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:240W
不同?vge,ic 时的?vce(on):4.66V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.79nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:16-MTP 模块
供应商器件封装:MTP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50TL60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3
igbt 类型:NPT
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):65A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-70MT060WSP
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 12-MTP 模块 | MTP |
描述:IGBT MODULE 600V 96A 378W MTP
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):96A
*功率 - 最大值:378W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.15V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):7.43nF @ 30V
*输入:单相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:12-MTP 模块
供应商器件封装:MTP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF25DDA120T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
igbt 类型:NPT
*配置:双路升压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:208W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF25DSK120T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
igbt 类型:NPT
*配置:双路降压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):40A
*功率 - 最大值:208W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.65nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VKI75-06P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
描述:IGBT MOD 600V 69A 208W ECO-PAC2
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):69A
*功率 - 最大值:208W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):800µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC2
供应商器件封装:ECO-PAC2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW30-06A7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 600V 50A 180W E2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):50A
*功率 - 最大值:180W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.3V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):600µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.6nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75DA170T1G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT 1700V 130A 465W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):130A
*功率 - 最大值:465W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.8nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MKI75-06A7T
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):90A
*功率 - 最大值:280W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):1.3mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MII75-12A3
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | Y4-M5 | Y4-M5 |
描述:IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):90A
*功率 - 最大值:370W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):4mA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:Y4-M5
供应商器件封装:Y4-M5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100DH60T3G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP3 | SP3 |
描述:MOD IGBT 600V 150A SP3
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:340W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:通孔
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA40W1200TED
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:195W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):2.1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.1mA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB50LP120N
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | INT-A-PAK(3 + 4) | INT-A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:446W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,50A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.29nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装:INT-A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50A120T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VS-70MT060WHTAPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 12-MTP 模块 | MTP |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 347W MTP
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:347W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.4V @ 15V,140A
电流 - 集电极截止(最大值):700µA
不同?vce 时的输入电容(cies):8nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:12-MTP 模块
供应商器件封装:MTP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA30WB1200TED
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):43A
*功率 - 最大值:150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):1.5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.5mA
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|