描述:MOD IGBT 600V 150A SP2 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 45A 170W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:45A *功率 - 最大值:170W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.43nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2 igbt 类型:PT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:43A *功率 - 最大值:150W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2.1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1mA *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A *功率 - 最大值:105W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:72A *功率 - 最大值:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:6V @ 15V，42A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 42A 140W SP3 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:42A *功率 - 最大值:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 69A 195W MTP igbt 类型:- *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:69A *功率 - 最大值:195W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.25V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.42nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:16-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1700V 45A 210W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:45A *功率 - 最大值:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:58A *功率 - 最大值:200W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.53nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 28A 100W E2 igbt 类型:PT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:28A *功率 - 最大值:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，16A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.5mA *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:72A *功率 - 最大值:225W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.8nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 31A 100W ECO-PAC2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:31A *功率 - 最大值:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC2 供应商器件封装:ECO-PAC2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:135A *功率 - 最大值:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:135A *功率 - 最大值:560W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP1 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 600V 35A 125W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:35A *功率 - 最大值:125W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 igbt 类型:NPT *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.45nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 43A 160W E1 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:43A *功率 - 最大值:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.1V @ 15V，45A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.81nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1