描述:IGBT 1700V 45A 210W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:45A *功率 - 最大值:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 18A 90W ECO-PAC2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:18A *功率 - 最大值:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC2 供应商器件封装:ECO-PAC2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 225A 480W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOD IGBT 1200V 110A SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:110A *功率 - 最大值:385W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 45A 140W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:45A *功率 - 最大值:140W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 24A 63W IMS-2 igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:24A *功率 - 最大值:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，24A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP（13 引线），IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 32A 62W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三级反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:32A *功率 - 最大值:62W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1700V 75A 312W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:75A *功率 - 最大值:312W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 89A 210W E1 igbt 类型:沟道 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:89A *功率 - 最大值:210W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:13A *功率 - 最大值:36W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，6.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.1nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP（13 引线），IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A *功率 - 最大值:63W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.1nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP（13 引线），IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 107A 403W MTP igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:107A *功率 - 最大值:403W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.49V @ 15V，60A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 30V *输入:单相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:12-MTP 模块 供应商器件封装:MTP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:55A *功率 - 最大值:208W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 43A 160W E1 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:43A *功率 - 最大值:160W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:400µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.81nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:90A *功率 - 最大值:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:90A *功率 - 最大值:370W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:Y4-M5 供应商器件封装:Y4-M5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50A *功率 - 最大值:90W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 25A 100W E2 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:25A *功率 - 最大值:100W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.3V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:600µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:.8nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:E2 供应商器件封装:E2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MODULE PIM 80A 1200V PIM20 igbt 类型:- *配置:T-型 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:65A *功率 - 最大值:146W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.8V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.99nF @ 20V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:模块 供应商器件封装:20-PIM/Q0PACK（55X32.5） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1