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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
MUBW35-06A6K
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 600V 42A 130W E1
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):42A
*功率 - 最大值:130W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):750µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.6nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF30TL601G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1
igbt 类型:NPT
*配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):42A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.35nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT100GN120JDQ4
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):153A
*功率 - 最大值:446W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW30-12A6K
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30A
*功率 - 最大值:130W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.8V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):1mA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA150Q1200VA
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | V1A-PAK | V1A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 220A 695W V1A-PAK
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:695W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):100µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:V1A-PAK
供应商器件封装:V1A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA150R1200VA
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | V1A-PAK | V1A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 220A 695W V1A-PAK
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):220A
*功率 - 最大值:695W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):500µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:V1A-PAK
供应商器件封装:V1A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI60-06G6K
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 600V 60A 180W E1
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:180W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.8V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):200µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT20H60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 32A 62W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):32A
*功率 - 最大值:62W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VWI20-06P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
描述:IGBT MOD 600V 19A 73W ECO-PAC2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):19A
*功率 - 最大值:73W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,10A
电流 - 集电极截止(最大值):600µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC2
供应商器件封装:ECO-PAC2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA40W1200TML
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 60A 195W E1
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:195W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):150µA
不同?vce 时的输入电容(cies):150µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VII130-06P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
描述:IGBT MOD 600V 121A 379W ECO-PAC2
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):121A
*功率 - 最大值:379W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.9V @ 15V,130A
电流 - 集电极截止(最大值):1.2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC2
供应商器件封装:ECO-PAC2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90A60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MIXA10WB1200TED
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 1200V 17A 60W E2
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):17A
*功率 - 最大值:60W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,9A
电流 - 集电极截止(最大值):700µA
不同?vce 时的输入电容(cies):700µA
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MWI15-12A7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.6V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):900µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75A60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GB15XP120KTPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 12-MTP 模块 | MTP |
描述:IGBT MODULE 1200V 30A 187W MTP
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30A
*功率 - 最大值:187W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.66V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.95nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:12-MTP 模块
供应商器件封装:MTP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50DA120T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF50SK120T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 312W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):75A
*功率 - 最大值:312W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.45nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MIXA40W1200TMH
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | MINIPACK2 | 迷你型PACK2 |
描述:IGBT MOD 1200V 60A MINIPACK2
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):60A
*功率 - 最大值:195W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值):150µA
不同?vce 时的输入电容(cies):150µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:MINIPACK2
供应商器件封装:迷你型PACK2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MWI30-06A7
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E2 | E2 |
描述:IGBT MODULE 600V 45A 140W E2
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):45A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):600µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.6nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E2
供应商器件封装:E2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF90DA60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APTGF90SK60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):110A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,90A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VS-CPV363M4FPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 19-SIP(13 引线),IMS-2 | IMS-2 |
描述:IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2
供应商器件封装:IMS-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-CPV364M4FPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 19-SIP(13 引线),IMS-2 | IMS-2 |
描述:IGBT MODULE 600V 27A 63W IMS-2
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):27A
*功率 - 最大值:63W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.5V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2
供应商器件封装:IMS-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT30DA170T1G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT 1700V 45A 210W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):45A
*功率 - 最大值:210W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.5nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|