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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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共 2486 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
GHIS080A060S1-E1
-
10+: 47.4727 100+: 46.6249 1000+: 46.2011 3000+: 44.9295
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Global Power Technologies Group SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT 600V 160A SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):160A *功率 - 最大值:380W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,80A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.44nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT75GT120JU3
10+: 227.7321 100+: 223.6654 1000+: 221.6321 3000+: 215.5321
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Microsemi Corporation ISOTOP SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:416W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.34nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT40GP90J
10+: 279.1407 100+: 274.1561 1000+: 271.6638 3000+: 264.1868
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Microsemi Corporation SOT-227-4,MINIBLOC ISOTOP®
描述:IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):900V *电流 - 集电极(ic)(最大值):68A *功率 - 最大值:284W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF50DH60T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 igbt 类型:NPT *配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):65A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
APT40GP90JDQ2
10+: 300.8205 100+: 295.4487 1000+: 292.7628 3000+: 284.7051
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):900V *电流 - 集电极(ic)(最大值):64A *功率 - 最大值:284W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT105LA120UX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):134A *功率 - 最大值:463W 不同?vge,ic 时的?vce(on):463W 电流 - 集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容(cies):75µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT75DA60T1G
10+: 329.0940 100+: 323.2173 1000+: 320.2790 3000+: 311.4639
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT75SK60T1G
-
10+: 49.1432 100+: 48.2657 1000+: 47.8269 3000+: 46.5106
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT 600V 100A 250W SP1 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):100A *功率 - 最大值:250W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-GT105NA120UX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227 igbt 类型:沟道 *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):134A *功率 - 最大值:463W 不同?vge,ic 时的?vce(on):463W 电流 - 集电极截止(最大值):75µA 不同?vce 时的输入电容(cies):75µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA30W1200TML
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E1 E1
描述:IGBT MODULE 1200V 43A 150W E1 igbt 类型:PT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):43A *功率 - 最大值:150W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):150µA 不同?vce 时的输入电容(cies):150µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MIXA60HU1200VA
10+: 220.0625 100+: 216.1328 1000+: 214.1680 3000+: 208.2735
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IXYS V1A-PAK V1A-PAK
描述:IGBT MOD 1200V 85A 290W V1A-PAK igbt 类型:PT *配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):85A *功率 - 最大值:290W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,55A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):500µA *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:V1A-PAK 供应商器件封装:V1A-PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MITB15WB1200TMH
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS MINIPACK2 迷你型PACK2
描述:IGBT MOD 1200V 29A MINIPACK2 igbt 类型:沟道 *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):29A *功率 - 最大值:100W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.1nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:MINIPACK2 供应商器件封装:迷你型PACK2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
alt VS-CPV362M4FPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 19-SIP(13 引线),IMS-2 IMS-2
描述:IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):8.8A *功率 - 最大值:23W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,4.8A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):.34nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF30A60T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):42A *功率 - 最大值:140W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.35nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
APT100GT120JR
10+: 347.8628 100+: 341.6510 1000+: 338.5451 3000+: 329.2273
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Microsemi Corporation SOT-227-4,MINIBLOC ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.7nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGF15A120T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP1 SP1
描述:IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP1 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *电流 - 集电极(ic)(最大值):25A *功率 - 最大值:140W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
CPV363M4K
10+: 385.6283 100+: 378.7421 1000+: 375.2990 3000+: 364.9697
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Vishay 19-SIP(13 引线),IMS-2 IMS-2
描述:IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2 igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):11A *功率 - 最大值:36W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,11A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):.74nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CPV364M4U
10+: 385.6283 100+: 378.7421 1000+: 375.2990 3000+: 364.9697
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Vishay 19-SIP(13 引线),IMS-2 IMS-2
描述:IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2 igbt 类型:- *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):20A *功率 - 最大值:63W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.84V @ 15V,20A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.1nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-CPV362M4KPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 19-SIP(13 引线),IMS-2 IMS-2
描述:IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):- *电流 - 集电极(ic)(最大值):- *功率 - 最大值:- 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:- *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VS-CPV362M4UPBF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Vishay 19-SIP(13 引线),IMS-2 IMS-2
描述:IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2 igbt 类型:- *配置:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):7.2A *功率 - 最大值:23W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,3.9A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):.53nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 供应商器件封装:IMS-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt APTGT100SK60T1G
-
10+: 52.7249 100+: 51.7834 1000+: 51.3126 3000+: 49.9003
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):150A *功率 - 最大值:340W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt VKI50-06P1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS ECO-PAC2 ECO-PAC2
描述:IGBT MOD 600V 42.5A ECO-PAC2 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):42.5A *功率 - 最大值:130W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):600µA 不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ECO-PAC2 供应商器件封装:ECO-PAC2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MUBW6-06A6
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS E1 E1
描述:IGBT MODULE 600V 7A 38W E1 igbt 类型:NPT *配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):7A *功率 - 最大值:38W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,4A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?vce 时的输入电容(cies):.34nF @ 25V *输入:三相桥式整流器 *ntc 热敏电阻: 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:E1 供应商器件封装:E1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IXGN100N160A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MODULE 1600V 200A SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1600V *电流 - 集电极(ic)(最大值):200A *功率 - 最大值:200A 不同?vge,ic 时的?vce(on):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?vce 时的输入电容(cies):- *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt IXGN100N170
10+: 426.2920 100+: 418.6797 1000+: 414.8735 3000+: 403.4550
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V *电流 - 集电极(ic)(最大值):160A *功率 - 最大值:735W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.22nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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