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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
GHIS080A060S1-E1
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Global Power Technologies Group | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT 600V 160A SOT227
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):160A
*功率 - 最大值:380W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值):2mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.44nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT75GT120JU3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:416W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):5mA
不同?vce 时的输入电容(cies):5.34nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APT40GP90J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | ISOTOP® |
描述:IGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOP
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):900V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):68A
*功率 - 最大值:284W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF50DH60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):65A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.2nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APT40GP90JDQ2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | ISOTOP | ISOTOP® |
描述:IGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP
igbt 类型:PT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):900V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):64A
*功率 - 最大值:284W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,40A
电流 - 集电极截止(最大值):350µA
不同?vce 时的输入电容(cies):3.3nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ISOTOP
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT105LA120UX
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):134A
*功率 - 最大值:463W
不同?vge,ic 时的?vce(on):463W
电流 - 集电极截止(最大值):75µA
不同?vce 时的输入电容(cies):75µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75DA60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT75SK60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT 600V 100A 250W SP1
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100A
*功率 - 最大值:250W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):4.62nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-GT105NA120UX
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227 |
描述:IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
igbt 类型:沟道
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):134A
*功率 - 最大值:463W
不同?vge,ic 时的?vce(on):463W
电流 - 集电极截止(最大值):75µA
不同?vce 时的输入电容(cies):75µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA30W1200TML
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 43A 150W E1
igbt 类型:PT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):43A
*功率 - 最大值:150W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值):150µA
不同?vce 时的输入电容(cies):150µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MIXA60HU1200VA
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | V1A-PAK | V1A-PAK |
描述:IGBT MOD 1200V 85A 290W V1A-PAK
igbt 类型:PT
*配置:2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):85A
*功率 - 最大值:290W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,55A
电流 - 集电极截止(最大值):500µA
不同?vce 时的输入电容(cies):500µA
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:V1A-PAK
供应商器件封装:V1A-PAK
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MITB15WB1200TMH
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | MINIPACK2 | 迷你型PACK2 |
描述:IGBT MOD 1200V 29A MINIPACK2
igbt 类型:沟道
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):29A
*功率 - 最大值:100W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):600µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.1nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:MINIPACK2
供应商器件封装:迷你型PACK2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
VS-CPV362M4FPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 19-SIP(13 引线),IMS-2 | IMS-2 |
描述:IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):8.8A
*功率 - 最大值:23W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,4.8A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.34nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2
供应商器件封装:IMS-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF30A60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):42A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.45V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1.35nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
APT100GT120JR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SOT-227-4,MINIBLOC | ISOTOP® |
描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):123A
*功率 - 最大值:570W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):100µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.7nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:ISOTOP®
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGF15A120T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | SP1 | SP1 |
描述:IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP1
igbt 类型:NPT
*配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):25A
*功率 - 最大值:140W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
CPV363M4K
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 19-SIP(13 引线),IMS-2 | IMS-2 |
描述:IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):11A
*功率 - 最大值:36W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2V @ 15V,11A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.74nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2
供应商器件封装:IMS-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CPV364M4U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 19-SIP(13 引线),IMS-2 | IMS-2 |
描述:IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2
igbt 类型:-
*配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):20A
*功率 - 最大值:63W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.84V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):2.1nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2
供应商器件封装:IMS-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-CPV362M4KPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 19-SIP(13 引线),IMS-2 | IMS-2 |
描述:IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2
供应商器件封装:IMS-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VS-CPV362M4UPBF
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 19-SIP(13 引线),IMS-2 | IMS-2 |
描述:IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):7.2A
*功率 - 最大值:23W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,3.9A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.53nF @ 30V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2
供应商器件封装:IMS-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
APTGT100SK60T1G
Datasheet 规格书
ROHS
-
|
Microsemi Corporation | SP4 | SP4 |
描述:IGBT 600V 150A 340W SP4
igbt 类型:沟槽型场截止
*配置:单一
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):150A
*功率 - 最大值:340W
不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):250µA
不同?vce 时的输入电容(cies):6.1nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
VKI50-06P1
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | ECO-PAC2 | ECO-PAC2 |
描述:IGBT MOD 600V 42.5A ECO-PAC2
igbt 类型:NPT
*配置:全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):42.5A
*功率 - 最大值:130W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):600µA
不同?vce 时的输入电容(cies):16nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:ECO-PAC2
供应商器件封装:ECO-PAC2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUBW6-06A6
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | E1 | E1 |
描述:IGBT MODULE 600V 7A 38W E1
igbt 类型:NPT
*配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):7A
*功率 - 最大值:38W
不同?vge,ic 时的?vce(on):2.5V @ 15V,4A
电流 - 集电极截止(最大值):10µA
不同?vce 时的输入电容(cies):.34nF @ 25V
*输入:三相桥式整流器
*ntc 热敏电阻:是
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1
供应商器件封装:E1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IXGN100N160A
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MODULE 1600V 200A SOT227B
igbt 类型:-
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1600V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):200A
*功率 - 最大值:200A
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IXGN100N170
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS | SOT-227-4,MINIBLOC | SOT-227B |
描述:IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
igbt 类型:NPT
*配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
*电流 - 集电极(ic)(最大值):160A
*功率 - 最大值:735W
不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值):50µA
不同?vce 时的输入电容(cies):9.22nF @ 25V
*输入:标准
*ntc 热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|