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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
NGTB20N60L2TF1G-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO3P |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO3P
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
SGH40N60UFDTU-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO3P |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO3P
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
SGH20N60RUFDTU-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO3P |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO3P
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
VBPB16I20
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO3P |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO3P
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
FGA4060ADF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO3P |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO3P
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
VBPB16I60
Datasheet 规格书
ROHS
300
|
VBsemi(微碧半导体) | TO3P |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO3P
标签:
包装:-
数量:300
每包的数量:1
|
||
IKA10N60T-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
IKA15N60T-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
FGP10N60UNDF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
SGP10N60RUFDTU-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|
||
STGP10H60DF-VB
Datasheet 规格书
ROHS
1000
|
VBsemi(微碧半导体) | TO220 |
描述:
igbt 类型:-
*配置:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
*电流 - 集电极(ic)(最大值):-
*功率 - 最大值:-
不同?vge,ic 时的?vce(on):-
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?vce 时的输入电容(cies):-
*输入:-
*ntc 热敏电阻:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:TO220
标签:
包装:-
数量:1000
每包的数量:1
|