描述:IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 150A 500W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:WB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT 1200V 40A 227W MODULE igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.66V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:10.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 600V 200A 600W S3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，200A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:13nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300A *功率 - 最大值:1400W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，200A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.9nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2082W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1