描述:MOSFET N/P-CH 60V SSOT6 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:510mA，340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 510mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:SUPERSOT™-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP *fet 类型:2 N 沟道（双）共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:8.58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1495pF @ 10V *功率 - 最大值:880mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:1.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:SUPERSOT™-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 10V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:POWERPAK® SC-70-6 双 供应商器件封装:POWERPAK® SC-70-6 双 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:1.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:SUPERSOT™-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1287pF @ 25V *功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:POWERPAK® SC-70-6 双 供应商器件封装:POWERPAK® SC-70-6 双 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:2.5A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:2.9A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 10V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，扁平引线 供应商器件封装:CHIPFET™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET DUAL N-CH 20VDS 12VGS 13A *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:13A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，无引线 供应商器件封装:CSPB2718-6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）:1.5A，1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:80pF @ 10V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，扁平引线 供应商器件封装:TUMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 10V *功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6 *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 6V *功率 - 最大值:7.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:POWERPAK® SC-70-6 双 供应商器件封装:POWERPAK® SC-70-6 双 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:415pF @ 20V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 30V *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-MICROFET（2X2） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:3.7A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:68 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-MICROFET（2X2） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:53 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:830mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:4.5A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1