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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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2SK209-BL(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SC-59 |
描述:JFET N-CH SOT23
晶体管类型:N 通道 JFET
*频率:1kHz
*增益:-
*电压 - 测试:10V
*额定电流:-
噪声系数:1dB
电流 - 测试:500µA
*功率 - 输出:-
*电压 - 额定:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SC-59
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BF862,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23
晶体管类型:N 通道 JFET
*频率:-
*增益:-
*电压 - 测试:-
*额定电流:25mA
噪声系数:-
电流 - 测试:-
*功率 - 输出:-
*电压 - 额定:20V
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BF862,235
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23
晶体管类型:N 通道 JFET
*频率:-
*增益:-
*电压 - 测试:-
*额定电流:25mA
噪声系数:-
电流 - 测试:-
*功率 - 输出:-
*电压 - 额定:20V
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
ATF-55143-TR1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | SC-82A,SOT-343 | SOT-343 |
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
晶体管类型:E-pHEMT
*频率:2GHz
*增益:17.7dB
*电压 - 测试:2.7V
*额定电流:100mA
噪声系数:0.6dB
电流 - 测试:10mA
*功率 - 输出:14.4dBm
*电压 - 额定:5V
封装/外壳:SC-82A,SOT-343
供应商器件封装:SOT-343
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
ATF-35143-TR1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | SC-82A,SOT-343 | SOT-343 |
描述:FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
晶体管类型:pHEMT FET
*频率:2GHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:2V
*额定电流:80mA
噪声系数:0.4dB
电流 - 测试:15mA
*功率 - 输出:10dBm
*电压 - 额定:5.5V
封装/外壳:SC-82A,SOT-343
供应商器件封装:SOT-343
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
ATF-58143-TR1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | SC-82A,SOT-343 | SOT-343 |
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
晶体管类型:pHEMT FET
*频率:2GHz
*增益:16.5dB
*电压 - 测试:3V
*额定电流:100mA
噪声系数:0.5dB
电流 - 测试:30mA
*功率 - 输出:19dBm
*电压 - 额定:5V
封装/外壳:SC-82A,SOT-343
供应商器件封装:SOT-343
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
PD84001
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | TO-243AA | SOT-89 |
描述:FET RF 18V 870MHZ
晶体管类型:LDMOS
*频率:870MHz
*增益:15dB
*电压 - 测试:7.5V
*额定电流:1.5A
噪声系数:-
电流 - 测试:50mA
*功率 - 输出:30dBm
*电压 - 额定:18V
封装/外壳:TO-243AA
供应商器件封装:SOT-89
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PD85004
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | TO-243AA | SOT-89 |
描述:FET RF 40V 870MHZ
晶体管类型:LDMOS
*频率:870MHz
*增益:17dB
*电压 - 测试:13.6V
*额定电流:2A
噪声系数:-
电流 - 测试:50mA
*功率 - 输出:4W
*电压 - 额定:40V
封装/外壳:TO-243AA
供应商器件封装:SOT-89
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
ATF-54143-TR1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | SC-82A,SOT-343 | SOT-343 |
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
晶体管类型:pHEMT FET
*频率:2GHz
*增益:16.6dB
*电压 - 测试:3V
*额定电流:120mA
噪声系数:0.5dB
电流 - 测试:60mA
*功率 - 输出:20.4dBm
*电压 - 额定:5V
封装/外壳:SC-82A,SOT-343
供应商器件封装:SOT-343
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
ATF-531P8-TR1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | 8-WFDFN 裸露焊盘 | 8-LPCC(2X2) |
描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
晶体管类型:E-pHEMT
*频率:2GHz
*增益:20dB
*电压 - 测试:4V
*额定电流:300mA
噪声系数:0.6dB
电流 - 测试:135mA
*功率 - 输出:24.5dBm
*电压 - 额定:7V
封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-LPCC(2X2)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MW6S004NT1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Freescale Semiconductor - NXP | PLD-1.5 | PLD-1.5 |
描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
晶体管类型:LDMOS
*频率:1.96GHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:50mA
*功率 - 输出:4W
*电压 - 额定:68V
封装/外壳:PLD-1.5
供应商器件封装:PLD-1.5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BLP7G22-10Z
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | 12-VDFN 裸露焊盘 | 12-HVSON(5X6) |
描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:2.14GHz
*增益:16dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:110mA
*功率 - 输出:2W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:12-HVSON(5X6)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MW6S010GNR1
Datasheet 规格书
ROHS
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Freescale Semiconductor - NXP | TO-270-2 鸥翼型 | TO-270-2 鸥翼型 |
描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
晶体管类型:LDMOS
*频率:960MHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:125mA
*功率 - 输出:10W
*电压 - 额定:68V
封装/外壳:TO-270-2 鸥翼型
供应商器件封装:TO-270-2 鸥翼型
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MW6S010NR1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Freescale Semiconductor - NXP | TO-270AA | TO-270-2 |
描述:FET RF 68V 960MHZ TO270-2
晶体管类型:LDMOS
*频率:960MHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:125mA
*功率 - 输出:10W
*电压 - 额定:68V
封装/外壳:TO-270AA
供应商器件封装:TO-270-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PD55003-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | POWERSO-10 裸露底部焊盘 | 10-POWERSO |
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
晶体管类型:LDMOS
*频率:500MHz
*增益:17dB
*电压 - 测试:12.5V
*额定电流:2.5A
噪声系数:-
电流 - 测试:50mA
*功率 - 输出:3W
*电压 - 额定:40V
封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装:10-POWERSO
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PD57006-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) | POWERSO-10RF(成形引线) |
描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
晶体管类型:LDMOS
*频率:945MHz
*增益:15dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:1A
噪声系数:-
电流 - 测试:70mA
*功率 - 输出:6W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MRFE6S9045NR1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Freescale Semiconductor - NXP | TO-270AA | TO-270-2 |
描述:FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
晶体管类型:LDMOS
*频率:880MHz
*增益:22.1dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:350mA
*功率 - 输出:10W
*电压 - 额定:66V
封装/外壳:TO-270AA
供应商器件封装:TO-270-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PD20015-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) | POWERSO-10RF(成形引线) |
描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
晶体管类型:LDMOS
*频率:2GHz
*增益:11dB
*电压 - 测试:13.6V
*额定电流:7A
噪声系数:-
电流 - 测试:350mA
*功率 - 输出:15W
*电压 - 额定:40V
封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CGH40006S
Datasheet 规格书
ROHS
|
Cree/Wolfspeed | 6-VDFN 裸露焊盘 | 6-QFN-EP(3X3) |
描述:RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
晶体管类型:HEMT
*频率:0Hz ~ 6GHz
*增益:12dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:8W
*电压 - 额定:84V
封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-QFN-EP(3X3)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MRFE6S9060NR1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Freescale Semiconductor - NXP | TO-270AA | TO-270-2 |
描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2
晶体管类型:LDMOS
*频率:880MHz
*增益:21.1dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:450mA
*功率 - 输出:14W
*电压 - 额定:66V
封装/外壳:TO-270AA
供应商器件封装:TO-270-2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MRF136
Datasheet 规格书
ROHS
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M/A-Com Technology Solutions | 211-07 | 211-07,2 型 |
描述:FET RF 65V 400MHZ 211-07
晶体管类型:N 通道
*频率:400MHz
*增益:16dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:2.5A
噪声系数:1dB
电流 - 测试:25mA
*功率 - 输出:15W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:211-07
供应商器件封装:211-07,2 型
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
BLF6G21-10G,135
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-538A | 2-CDIP |
描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.11GHz ~ 2.17GHz
*增益:18.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:700mW
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-538A
供应商器件封装:2-CDIP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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BLF6G21-10G,112
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-538A | 2-CDIP |
描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.11GHz ~ 2.17GHz
*增益:18.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:700mW
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-538A
供应商器件封装:2-CDIP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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BLF640U
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-538A | 2-CDIP |
描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.11GHz ~ 2.17GHz
*增益:18.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:700mW
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-538A
供应商器件封装:2-CDIP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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BLF6G27-10G,118
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-975C | CDFM2 |
描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.5GHz ~ 2.7GHz
*增益:19dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:3.5A
噪声系数:-
电流 - 测试:130mA
*功率 - 输出:2W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-975C
供应商器件封装:CDFM2
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|