描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:3ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:3ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SSMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:6ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD523 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SMINI2 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:1ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GP 100V 215MA TO236AB *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:盘 数量:3000 每包的数量:1

描述:DIODE GP 100V 215MA TO236AB *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GP 80V 100MA SSSMINI2-F4-B *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:3ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:2-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SSS迷你型2-F4-B 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79，SOD-523F 供应商器件封装:SOD-523F 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标签: 工作温度 - 结:150°C（最大） 包装:- 数量:3000 每包的数量:1

描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:470mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:1.6ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量: 每包的数量:0