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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
DZ23C11-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 11V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):11V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):20 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C16-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 16V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):16V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):40 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C2V7-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):2.7V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):83 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C3V0-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 3V 300MW SOT23
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):3V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):95 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):95 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C3V3-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):3.3V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):95 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):95 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C4V3-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):4.3V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):95 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):95 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C5V1-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):5.1V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):60 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):60 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C6V2-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):6.2V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):10 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):10 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBZ5223BS-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT363
*配置:2 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):2.7V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):30 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBZ5240BS-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 10V SOT363
*配置:2 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):10V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):17 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBZ5243BS-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 13V SOT363
*配置:2 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):13V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):13 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBZ5258BS-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
*配置:2 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):36V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):70 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBZ5242BS-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 12V SOT363
*配置:2 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):12V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):30 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BZX84C10S-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 10V SOT363
*配置:2 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):10V
*容差:±6%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):20 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BZX84C5V6TS-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT363
*配置:3 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):5.6V
*容差:±6%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):40 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
EMZ6.8NTL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-75,SOT-416 | EMD3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 6.8V EMD3
*配置:1 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):6.8V
*容差:-
*功率 - 最大值:150mW
*阻抗(最大值)(zzt):40 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:EMD3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FTZ6.8ET148
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-74A,SOT-753 | SMD5 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD5
*配置:2 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):6.8V
*容差:-
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):40 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:SMD5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
FTZ30ET148
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-74A,SOT-753 | SMD5 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 30V 200MW SMD5
*配置:2 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):30V
*容差:-
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):200 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:SMD5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ23C6V8-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT23-3
*配置:1 对共阴极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):6.8V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:300mW
*阻抗(最大值)(zzt):8 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CMSZDA33V TR
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Central Semiconductor Corp | SC-70,SOT-323 | SOT-323 |
描述:DIODE ZENER 33V 275MW SOT323
*配置:1 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):33V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:275mW
*阻抗(最大值)(zzt):80 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
工作温度:-65°C ~ 175°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SOT-323
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
STZ5.6NT146
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SMD3 |
描述:DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD3
*配置:1 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):5.6V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:200mW
*阻抗(最大值)(zzt):60 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMD3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SM16Z4689
Datasheet 规格书
ROHS
|
Microsemi Corporation | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DIODE ZENER ARRAY 5.1V 16SOIC
*配置:8 个独立式
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):5.1V
*容差:±5%
*功率 - 最大值:1.5W
*阻抗(最大值)(zzt):1.5W
Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V
工作温度:-55°C ~ 150°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ3S062D0L
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SC-89,SOT-490 | SS迷你型3-F3-B |
描述:DIODE ZENER ARRAY 6.2V SSMINI3
*配置:1 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):6.2V
*容差:-
*功率 - 最大值:150mW
*阻抗(最大值)(zzt):50 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-89,SOT-490
供应商器件封装:SS迷你型3-F3-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ3S082D0L
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SC-89,SOT-490 | SS迷你型3-F3-B |
描述:DIODE ZENER ARRAY 8.2V SSMINI3
*配置:1 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):8.2V
*容差:-
*功率 - 最大值:150mW
*阻抗(最大值)(zzt):30 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-89,SOT-490
供应商器件封装:SS迷你型3-F3-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DZ3S068D0L
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SC-89,SOT-490 | SS迷你型3-F3-B |
描述:DIODE ZENER ARRAY 6.8V SSMINI3
*配置:1 对共阳极
*电压 - 齐纳(标称值)(vz):6.8V
*容差:-
*功率 - 最大值:150mW
*阻抗(最大值)(zzt):30 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-89,SOT-490
供应商器件封装:SS迷你型3-F3-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|