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Micron Technology Inc. 美光科技

Micron

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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
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丝印：
外壳：
封装：-
料号：C1-48670
包装： 散装
参考价格:￥38.148800
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：256Mb（16M x 16）
电压 - 电源：1.7V ~ 2V
丝印：
外壳：
封装：64-EasyBGA（10x13）
料号：C1-48680
包装： 卷带（TR）
参考价格:￥38.148800
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类别： 存储器
替代：
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丝印：
外壳：
封装：-
料号：C1-48698
包装： 散装
参考价格:￥38.148800
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替代：
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封装：-
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描述： CACHE SRAM, 128KX36, 8.5NS PQFP1
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参考价格:￥38.148800
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描述： IC FLASH 1TB EMMC
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类别： 存储器
替代：
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外壳：
封装：-
料号：C1-48827
包装： 托盘
参考价格:￥38.148800
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： 16 MBIT, PAGE-ERASABLE SERIAL FL
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：16Mb（2M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：8-SO
料号：C1-48842
包装： 卷带（TR）
参考价格:￥38.148800
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC MEMORY DRAM LPDDR4
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料号：C1-49035
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP
参数： *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:52 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:110 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口，同步 *存储容量:18Mb（1M x 18） 存储器接口:并联 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:4 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:75 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms，15ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，ZBT *存储容量:4Mb（128K x 32） 存储器接口:并联 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:3.135V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4Mb（128K x 32）
电压 - 电源：3.135V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：100-TQFP（14x20.1）
料号：C1-49040
包装： 散装
参考价格:￥38.148800
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT55L128L32P1T-6' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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