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Micron Technology Inc. 美光科技

Micron

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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：256Mb （32M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：24-T-PBGA（6x8）
料号：C1-46406
包装： 标准卷带
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可供数量:咨询
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：2Gb （128M x 16）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：-
料号：C1-46407
包装： 标准卷带
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个
咨询客服
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 256M PARALLEL VFBGA
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替代：
存储器类型：非易失
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咨询客服
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:8ms，2.8ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:8ms，2.8ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （128M x 16） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:0°C ~ 70°C（TA） 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8，16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （128M x 4） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签:
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替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：512Mb （128M x 4）
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丝印：
外壳：
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包装： 标准卷带
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
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替代：
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存储器格式：DRAM
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电压 - 电源：1.14V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：216-WFBGA（12x12）
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包装： 标准卷带
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA
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替代：
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ
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存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Gb （16G x 8）
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封装：152-VBGA（14x18）
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
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电压 - 电源：1.7V ~ 1.9V
丝印：
外壳：
封装：60-FBGA (10x18)
料号：C1-46415
包装： 标准卷带
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封装：-
料号：C1-46427
包装： 散装
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描述： IC FLASH 8GB NAND
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH RAM 1G PARALLEL
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料号：C1-46448
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