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Micron Technology Inc. 美光科技

Micron

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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
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替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：2Gb （256M x 8）
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丝印：
外壳：
封装：
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：512Mb （64M x 8）
电压 - 电源：-40°C ~ 125°C
丝印：
外壳：
封装：
料号：C1-46267
包装： 标准卷带
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替代：
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包装： 标准卷带
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：8Gb （512M x 16）
电压 - 电源：-40°C ~ 95°C（TC）
丝印：
外壳：
封装：
料号：C1-46269
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参考价格:￥53.290800
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料号：C1-46273
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参考价格:￥53.290800
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描述： LPDDR4 8G DDP
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封装：
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料号：C1-46281
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参考价格:￥53.290800
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描述： IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA
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描述： IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:1.7V ~ 2V 时钟频率:Xccela 总线 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:1.7V ~ 2V 时钟频率:Xccela 总线 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:1.7V ~ 2V 时钟频率:Xccela 总线 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:8Gb （512M x 16） 存储器接口:1.14V ~ 1.26V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:1.6GHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 95°C（TC） 工作温度:表面贴装型 安装类型:96-TFBGA 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:8Gb （256M x 32） 存储器接口:1.2V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:933MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC） 安装类型:-30°C ~ 85°C（TC） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:6Gb（1.5G x 32） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1866MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器接口:SDRAM - Mobile LPDDR4 时钟频率:SDRAM - Mobile LPDDR4 写周期时间 - 字，页:SDRAM - Mobile LPDDR4 访问时间:SDRAM - Mobile LPDDR4 *电压 - 电源:SDRAM - Mobile LPDDR4 工作温度:SDRAM - Mobile LPDDR4 安装类型:SDRAM - Mobile LPDDR4 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:48Gb（768M x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1866MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:表面贴装型 安装类型:366-WFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:48Gb（768M x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1600MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:32Gb（512M x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1866MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:64Gb（1G x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1866MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:表面贴装型 安装类型:432-VFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:32Gb（1G x 32） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1866MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC） 安装类型:-30°C ~ 85°C（TC） 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:64Gb（1G x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:2133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:表面贴装型 安装类型:376-WFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:64Gb（1G x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1866MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:表面贴装型 安装类型:556-VFBGA 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:16Gb （256M x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:2133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 105°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:16Gb （256M x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:2133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 105°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：16Gb （256M x 64）
电压 - 电源：-30°C ~ 105°C（TC）
丝印：
外壳：
封装：
料号：C1-46285
包装： 标准卷带
参考价格:￥53.290800
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总额：
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