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Micron Technology Inc. 美光科技

Micron

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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
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料号：C1-46226
包装： 散装
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可供数量:咨询
个
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丝印：
外壳：
封装：
料号：C1-46227
包装： 散装
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可供数量:咨询
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： LPDDR4 4G DIE 128MX32
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包装： 散装
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咨询客服
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包装： 托盘
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外壳：
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包装： 托盘
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
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描述： LPDDR4 8G QDP
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： LPDDR4 16G FBGA 8DP
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
参数： *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:6Gb （192M x 32） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:0°C ~ 85°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:16Gb（512M x 32） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1866MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:200-WFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:32Gb（512M x 64） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:1600MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:表面贴装型 安装类型:272-WFBGA 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:32Gb（1G x 32） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:2133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C（TC） 工作温度:表面贴装型 安装类型:200-VFBGA 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:32Gb（1G x 32） 存储器接口:1.1V 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:2133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:200-VFBGA 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:8Gb （128M x 64） 存储器接口:1.14V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:8Gb （128M x 64） 存储器接口:1.14V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-30°C ~ 85°C（TC） 工作温度:- 安装类型:- 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:8ms，2.8ms *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-WDFN 裸露焊盘 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Mb （16M x 8）
电压 - 电源：-40°C ~ 125°C（TA）
丝印：
外壳：
封装：
料号：C1-46245
包装： 标准卷带
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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个
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