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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体

ISSI

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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （16M x 16）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.9V
丝印：
外壳：
封装：84-TWBGA（8x12.5）
料号：C1-3086
包装： 209个/ 托盘
参考价格:￥28.453400
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
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丝印：
外壳：
封装：54-TSOP II
料号：C1-3089
包装： 托盘
参考价格:￥28.453400
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品牌： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制 ISSI 芯成半导体
描述： IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：512Mb （16M x 32）
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丝印：
外壳：
封装：90-TFBGA（8x13）
料号：C1-3090
包装： 2500个/ 标准卷带
参考价格:￥28.453400
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品牌： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制 ISSI 芯成半导体
描述： IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:143MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （16M x 32） 存储器接口:5.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:2Mb （64K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：2Mb （64K x 36）
电压 - 电源：3.135V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：100-TQFP（14x20）
料号：C1-3091
包装： 托盘
参考价格:￥28.453400
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可供数量:咨询
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
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丝印：
外壳：
封装：100-TQFP（14x20）
料号：C1-3092
包装： 托盘
参考价格:￥28.453400
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替代：
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丝印：
外壳：
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参考价格:￥28.453400
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描述： IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP
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替代：
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描述： IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
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存储器格式：DRAM
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封装：90-TFBGA（8x13）
料号：C1-3096
包装： 2500个/ 标准卷带
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类别： 存储器
替代：
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存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （8M x 32）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：90-TFBGA（8x13）
料号：C1-3097
包装： 240个/ 托盘
参考价格:￥28.453400
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可供数量:咨询
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描述： IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （32M x 8）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：90-TFBGA（8x13）
料号：C1-3100
包装： 标准卷带
参考价格:￥28.453400
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品牌： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制 ISSI 芯成半导体
描述： IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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类别： 存储器
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存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：256Mb （32M x 8）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
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外壳：
封装：54-TSOP II
料号：C1-3101
包装： 标准卷带
参考价格:￥28.453400
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可供数量:咨询
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替代：
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存储器格式：SRAM
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丝印：
外壳：
封装：100-TQFP（14x20）
料号：C1-3104
包装： 托盘
参考价格:￥28.453400
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可供数量:咨询
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类别： 存储器
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替代：
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存储器格式：SRAM
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丝印：
外壳：
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4.5Mb （128K x 36）
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品牌： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制 ISSI 芯成半导体
描述： IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
存储容量：4.5Mb （256K x 18）
电压 - 电源：3.135V ~ 3.465V
丝印：
外壳：
封装：100-TQFP（14x20）
料号：C1-3108
包装： 托盘
参考价格:￥28.453400
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现货库存:0
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