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STW26NM50-VB数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： STW26NM50-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： TO247；N—Channel沟道,500V；33A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
封装：TO247
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：33A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-55909
单价:
10+:￥19.2000
50+:￥18.4000
100+:￥17.1200
300+:￥17.0400
最小起订:
包装： 300个/
个
总额：
状态： 在售
型号： STW26NM50复制
品牌： STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
描述： MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
封装：TO-247-3 外壳：TO-247-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极(id)：30A（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：313W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-114
单价: ￥17.0400
最小起订:
包装：
个
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