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STD70N10F4-VB数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： STD70N10F4-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V)；TO252
封装：TO252 外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：70A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-55302
单价:
10+:￥3.5280
625+:￥3.3810
1250+:￥3.1458
2500+:￥3.1311
最小起订:
包装： 2500个/
个
总额：
状态： 在售
型号： STD70N10F4复制
品牌： STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
封装：DPAK 外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：125W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-25
单价: ￥3.1311
最小起订:
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