缓冲
缓冲

商品类别:
更多
制造商:
更多
外壳尺寸:
更多
自营现货
原装正品 24小时发货 1片起售
★★★★★
◎芯片丝印◎规格书资料 ◎引脚定义图 ◎PCB封装库 ◎元器件替代 ◎样品申请 ◎BOM采购

SI2309DS-T1-GE3-VB数据手册

× 关闭
缓冲

SI2309DS-T1-E3数据手册

× 关闭
缓冲
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： SI2309DS-T1-GE3-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V；
封装：SOT23
fet 类型：P—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：2A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56072
单价:
10+:￥0.8880
750+:￥0.8510
1500+:￥0.7918
3000+:￥0.7881
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： SI2309DS-T1-E3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.25W（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-18537
单价: ￥0.7881
最小起订:
包装：
个
总额：
复制成功
已成功加入询盘！
去购物车结算 继续采购
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922